简单来说,禁带宽度就是价带顶和导带底之间的能量差,它决定了半导体材料的导电性质。 在室温条件下,砷化镓的禁带宽度约为1.42eV。这个值相对较大,使得砷化镓在高温和强电场等恶劣环境下仍能保持良好的性能。此外,砷化镓还具有高的电子迁移率和低的电阻率,这些特性使得...
由于砷化镓具有较宽的禁带宽度,因此它在高温环境下仍能保持较好的导电性能,这使得砷化镓在高温电子器件中有广泛应用。 总的来说,砷化镓的带隙宽度和禁带宽度是决定其电学性能和在光电子器件中应用的关键因素。通过深入了解这些参数,我们可以更好地利用砷化镓的优异性能,为现代电子技术的发...
砷化镓的禁带宽度通常在1.2-1.4电子伏特之间，比起其他半导体材料，如硅、锗等，其禁带宽度较小，因此也更容易被激发。砷化镓的禁带宽度与其晶格结构、材料制备方法、掺杂情况等因素密切相关。在制备砷化镓材料时，可以通过调整其制备条件，如外延生长条件、掺杂浓度等，来改变其禁带宽度，从而实现对其性能的调控。砷化镓...
氮化镓和砷化镓的禁带宽度分别为3.4电子伏特和1.4电子伏特。 一、氮化镓的禁带宽度 氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有很高的载流子迁移率和较大的电子饱和漂移速度。GaN的禁带宽度为3.4电子伏特,比其他半导体材料如硅(1.1电子伏特)和砷化镓(1.4电子伏特)都要大,因此在高电场下具有较高的电...
百度试题 题目室温下,砷化镓的禁带宽度是 。相关知识点: 试题来源: 解析 1.43eV 反馈 收藏
1.4电子伏。砷化镓是一种重要的半导体材料，属闪锌矿型晶格结构，黑灰色固体，熔点1238℃，带宽度1.4电子伏。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
半导体材料砷化镓GaAs的本征吸收长波限为873nm,则GaAs的禁带宽度为( )A.1.42JB.1.42eVC.1.42E-3 JD.1.42E-3 eV
砷化镓室温时禁带宽度是1.424eV,其0K时Eg是 A. 0.744eV B. 1.12eV C. 1.159eV D. 1.519eV
搜索智能精选 题目砷化镓室温时禁带宽度是1.424eV,其0K时Eg是 A. 0.744eV B. 1.12eV C. 1.159eV D. 1.519eV 答案 D
Eg=1.42ev