砷化镓是一种III-V族半导体材料,具有禁带宽度为1.4电子伏特。相较于硅,砷化镓具有更高的电子迁移率和更高的能量转换效率,被广泛应用于高速电子学和光电学领域,如高功率激光器和太阳能电池。 二、硅和砷化镓在电子学和光电学应用 硅和砷化镓作为两种不同的半导体材料,具有各自不同的特性和应用领...
Eg=1.42ev
砷化镓的禁带宽度是**约为 约4.1eV** 2楼2023-12-22 11:44 回复 -_凤鸣 一般半导体材料硅和锗的禁带宽度为掺杂半导体的介电常数接近真空中的光速,而砷化镓则是直接电子跃迁产生光的效应较强的一种较新的半导体材质,其折射率较小,频率较高,因此它的带宽也较大 3楼2023-12-22 11:44 回复 ...
1楼2024-01-02 17:33回复 -越塔妹 砷化镓是一种广泛应用的半导体,其禁带宽度为**1.42eV** 2楼2024-01-02 17:33 回复 -越塔妹 如需更多信息可查阅相关文献或咨询专业人士获取帮助 3楼2024-01-02 17:33 回复 登录百度账号 下次自动登录 忘记密码? 扫二维码下载贴吧客户端 下载贴吧APP看高清直播...