(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
光学特性方面,直接带隙半导体的吸收谱和发射谱能量分布窄,光谱相应较窄;而间接带隙半导体的吸收峰和发射峰分布宽,光谱较宽。在应用领域,直接带隙半导体因其高电子迁移率和短电子寿命,广泛应用于高速光电器件、激光器和LED等领域。间接带隙半导体则更适用于太阳能电池、光电探测器等低速光电器件。此外,材料特性方面,直...
由于电子结构的不同,直接带隙半导体和间接带隙半导体在光学特性上也存在着巨大的差异。直接带隙半导体的吸收谱和发射谱具有较窄的能量分布,因此其光谱相对较窄。而间接带隙半导体的吸收峰和发射峰分布相对较宽,光谱较宽。 三、应用领域差异 直接带隙半导体具有较高的电子...
间接带隙半导体 与直接带隙半导体不同,间接带隙半导体是指导带和价带的最低能态不在动量空间中相交,而是位于不同的点上。在这种材料中,电子需要与声子发生相互作用,才能完成跃迁,因此光电转换效率相对较低。典型的间接带隙半导体包括Si、Ge等。 两者在光电器件中的应用 由于直接带隙半导体具有较高的吸收系数和较高的...
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。 二、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。 三、间接带隙半导体材料导带最...
半导体的直接带隙和间接带隙，主要区别在于电子跃迁的方式：直接带隙：在直接带隙半导体中，价带顶和导带底在同一波矢k处，电子从价带激发到导带时，可以直接吸收或发射一个光子，完成跃迁。这意味着这种半导体可以有效地发光和吸收光，常见于LED和太阳能电池等应用。间接带隙：在间接带隙半导体中，价带顶...
直接带隙和间接带隙半..总结来说,直接带隙半导体具有更高的电子-空穴转化效率和更稳定的能级结构,而间接带隙半导体通常有较高的发光的荧光量子产率和优秀的抗电磁干扰能力
参考答案:(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求... 点击查看完整答案 您可能感兴趣的试卷 你可能感兴趣的试题 1.问答题在半导体中电子分布须遵循哪些基本原则和规则? 参考答案:(1)最低能量原理:先填充低能级轨道,使原子系统能量最低; ...
直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别在于能带结构,直接带隙半导体的电子和空穴复合速率快,载流子迁移率高,适用于高速电子器件、高亮度LED、激光器等领域。而间接带隙半导体的电子和空穴复合速率相对较慢,载流子迁移率低,适用于太阳能电池、传感器等领域。
直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别在于能带结构,直接带隙半导体的电子和空穴复合速率快,载流子迁移率高,适用于高速电子器件、高亮度LED、激光器等领域。而间接带隙半导体的电子和空穴复合速率相对较慢,载流子迁移率低,适用于太阳能电池、传感器等领域。