在直接带隙材料中,光子被吸收后会直接激发价带中的电子跃迁到导带中。 2. 间接带隙 间接带隙是指在晶体能带结构中,价带最高点(即导带最低点)与导带最低点(即价带最高点)之间能量差的最小值不在晶格动量为零的点上。在间接带隙材料中,光子被吸收后需要通过晶格振动来实现电子从价带到导带的跃迁。 二、光学...
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。 二、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。 三、间接带隙半导体材料导带最...
(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
光学吸收谱方法是一种常用的实验方法,通过测量材料在不同能量的光照射下的吸收谱,可以得到材料的能带结构和带隙类型。对于直接带隙材料来说,光子的能量等于带隙能量时,会出现明显的吸收峰;而对于间接带隙材料来说,则不会出现明显的吸收峰,而是在带隙能量附近有较强的吸收。 二、光致发光谱方法 光致发光谱方法是...
直接带隙半导体 直接带隙半导体是指能带结构中导带和价带的能态直接相交,即在动量空间中,导带最低点和价带最高点位于同一点。这种半导体在光电器件中表现出色的发光效应,因为电子直接跃迁至价带时释放的能量以光子的形式辐射出来。典型的直接带隙半导体包括GaAs、InP等。 间接带隙半导体 与直接带隙半导体不同,间接带...
1 直接带隙指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置,价带电子跃迁到导带不需要声子的参与,只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从...
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置.电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量.间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k 结果一 题目 直接带隙和间接带隙是怎么回事?ZnO是一种直接带隙半导体材料,为什么说它是直接带隙的?直接...
间接带隙半导体 与直接带隙半导体相对应的是间接带隙半导体,即能带结构中最高价带和最低导带的能量分别在不同的K点处。这种材料的电子和空穴很少在动量空间中直接相遇,因此其辐射衰减速率较低。 典型的间接带隙半导体包括硅(Si)、锗(Ge)等。虽然这些材料在光电器件中的应用受到限制,但在集成电路、太阳能电池等领...
常见的间接带隙半导体包括锗(Ge)和硒化镉(CdSe)等材料。虽然间接带隙半导体在光电转换方面的效率较低,但在一些特定的应用领域,如红外探测器方面,仍然具有重要意义。 总的来说,直接带隙半导体和间接带隙半导体在能带结构和光电性质上存在显著差异。对于光电器件的选择和应用,需要根据具体的要求和性能需求来选取合适的...
什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体?请各举一例并对其能带结构加以描述。 答案 【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E都位于布里渊区中心,而导带底E。则位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。