(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。 二、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。 三、间接带隙半导体材料导带最...
一、电子结构差异 直接带隙半导体的电子能带图像中,导带和价带直接相邻,以一条直线相交,电子跃迁时无需改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较高。而间接带隙半导体的导带和价带相交于不同的k点,电子跃迁时需要改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较低。 二、...
1. 区别:直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料只能吸收并转换为热能。因此,间接带隙材料不能产生光电效应,也无法通过光致发...
间接带隙半导体 与直接带隙半导体不同,间接带隙半导体是指导带和价带的最低能态不在动量空间中相交,而是位于不同的点上。在这种材料中,电子需要与声子发生相互作用,才能完成跃迁,因此光电转换效率相对较低。典型的间接带隙半导体包括Si、Ge等。 两者在光电器件中的应用 由于直接带隙半导体具有较高的吸收系数和较高的...
直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别在于能带结构,直接带隙半导体的电子和空穴复合速率快,载流子迁移率高,适用于高速电子器件、高亮度LED、激光器等领域。而间接带隙半导体的电子和空穴复合速率相对较慢,载流子迁移率低,适用于太阳能电池、传感器等领域。
最佳答案 回答者:网友 材料的电子特性不同:直接带隙只需要吸收能量,间接带隙不仅要吸收能量还要改变动量。电子能量值分布不同:直接带隙在同一位置,间接带隙照劳展价慢称困流价导在不同位置。 我来回答 提交回答 重置 等你来答 国内有卖「4(1H)-Quinolinone, 1-methyl-2-(5Z)-5-undecen-1-yl-」182056-...
在半导体材料中,直接带隙半导体和间接带隙半导体具有不同的电子结构和物理特性。直接带隙半导体吸收和释放光子的效率比较高,间接带隙半导体的光子吸收和释放效率比较低但寿命较长。从应用的角度,直接带隙半导体常用于光电器件和激光器等制造,而间接带隙半导体则常...
1、定义不同:直接带隙半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中同一点,电子在价带被激发到导带后,其动量保持不变,而间接带隙半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中不同点,电子在价带被激发到导带后,其动量必须改变。2、特点不同:直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率,并适合于光...