直接带隙半导体和间接带隙半导体 : 直接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由原子内部近邻结构引起的,此时带隙值受到材料原子内部结构影响,但由于原子内部结构是固定的,所以带隙也不会改变。例如硅、砷化镓等半导体材料。 间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的,此时带...
什么是直接带隙半导体和间接带隙半导体?请各举一例并对其能带结构加以描述。 答案 【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E都位于布里渊区中心,而导带底E。则位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。
1、直接和间接带隙半导体主要内容l半导体定义及其性质l什么是带隙l直接带隙和间接带隙半导体的性质、区别l半导体的应用l半导体的发展趋势什么是半导体l半导体半导体:电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体,换句话说半导体是导电性可受控制,范围可从绝缘体至导体之间的材料。 常见的半导体材料...
带隙就是导带的最低点和价带的最高点的能量之差（Eg）本征光的吸收 半导体吸收光子使电子由价带激发到导带，形成电子-空穴对的过程就叫本征光吸收。光子能量满足的条件是：准动量守恒条件是：Eg kkpphoton 两种跃迁方式 1.竖直跃迁（直接光吸收过程）对应于导带底和价带顶在k空间相同点的情况 能量守恒：Eg跃迁需...
(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别在于能带结构,直接带隙半导体的电子和空穴复合速率快,载流子迁移率高,适用于高速电子器件、高亮度LED、激光器等领域。而间接带隙半导体的电子和空穴复合速率相对较慢,载流子迁移率低,适用于太阳能电池、传感器等领域。
直接带隙半导体的电子能带图像中,导带和价带直接相邻,以一条直线相交,电子跃迁时无需改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较高。而间接带隙半导体的导带和价带相交于不同的k点,电子跃迁时需要改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较低。 二、光学特性差异 由于电...
【解析】【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E,都位于布里渊区中心,而导带底E则位于 =100 方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。直接带隙半导体材料是指导带最小值E和价带最大值E在k空间中处于同一...
直接带隙半导体和间接带隙半导体是两种不同类型的半导体材料,它们在能带结构上有显著差异,这些差异决定了它们在电子和光电子器件中的应用。 直接带隙半导体最重要的特点是,其导带的最小值和价带的最大值在 momentum 空间中位于相同的位置,这意味着电子和空穴在复合时能够直接释放出光子,而不需要声子的参与。这种特性...
答:直接带隙半导体:GaAs,ZnO,GaN ;间接带隙半导体:Si,Ge (补充:直接带隙:价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点上。直接跃迁。 间接带隙:价带极大值和导带极小值不位于k空间的原点上。间接跃迁。) 1)直接带隙半导体吸光过程:材料吸收光子能量后,将电子从价带激发到导带,同时在价带留下空位。光子动量很...