直接带隙半导体和间接带隙半导体 : 直接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由原子内部近邻结构引起的,此时带隙值受到材料原子内部结构影响,但由于原子内部结构是固定的,所以带隙也不会改变。例如硅、砷化镓等半导体材料。 间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的,此时带...
【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E都位于布里渊区中心,而导带底E。则位于100方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。直接带隙半导体材料是指导带最小值E和价带最大值E。在k空间中处于同一位置的半导体...
【解析】【答】间接带隙半导体材料是指导带最小值和价带最大值在k空间中处于不同位置的半导体,例如硅的价带顶E,都位于布里渊区中心,而导带底E则位于 =100 方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。直接带隙半导体材料是指导带最小值E和价带最大值E在k空间中处于同一...
声子提供跃迁所需要的动量 Ek k'kq 直接带隙半导体(Directgapsemiconductor)导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。直接带隙半导体的例子:GaAs、InP、InSb等。间接带隙半导体InEnglish?Indirectgapsemiconductor ...
直接带隙半导体和间接带隙半导体的区别在于能带结构,直接带隙半导体的电子和空穴复合速率快,载流子迁移率高,适用于高速电子器件、高亮度LED、激光器等领域。而间接带隙半导体的电子和空穴复合速率相对较慢,载流子迁移率低,适用于太阳能电池、传感器等领域。
(1)直接带隙: A.价带极大值和导带极小值都位于k空间的原点; B.价带的电子跃迁到导带时,只要求能量的改变,而电子的准动量不发生变化,称为直接跃迁(c)直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体。 例子:GaAs,GaN,ZnO (2)间接带隙: A.价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上; B.价带的电子跃迁...
直接带隙半导体和间接带隙半导体 秦老师 05-12 00:18 学智直接带隙半导体和间接带隙半导体是两种不同类型的半导体材料,它们在能带结构上有显著差异,这些差异决定了它们在电子和光电子器件中的应用。 直接带隙半导体最重要的特点是,其导带的最小值和价带的最大值在 momentum 空间中位于相同的位置,这意味着电子和...
在直接带隙半导体中,导带底和价带顶的能级在k空间中是相同的,这意味着电子在跃迁时不需要改变其动量。这种特性使得直接带隙半导体在光吸收和发射过程中效率更高,因此广泛应用于光电子器件,如太阳能电池和发光二极管。例如,硅就是一种典型的直接带隙半导体。 相比之下,间接带隙半导体的导带底和价带顶在k空间中是不...
直接带隙半导体的电子能带图像中,导带和价带直接相邻,以一条直线相交,电子跃迁时无需改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较高。而间接带隙半导体的导带和价带相交于不同的k点,电子跃迁时需要改变动量,因此电子的跃迁速率和发光效率都比较低。 二、光学特性差异 由于电...
1. 直接带隙半导体的载流子跃迁 在直接带隙半导体中,载流子跃迁过程中不需要参与声子,而是通过吸收或发射一个光子来完成跃迁。这种直接跃迁的过程很快,因此直接带隙半导体在光电学应用中非常重要,例如太阳能电池、激光器、LED等。 2. 间接带隙...