这种电阻不仅可制成精密电阻，其容差可达到0.005%，而且温度系数极低。但值得注意的是，由于绕线电阻的寄生电感相对较大，因此不适用于高频电路。然而，其体积可制作得较大，并配备外部散热器，从而能够用于大功率电路中。
忆阻器是一种基于材料的电子元件,它的电阻值可以根据电场或者磁场的变化而变化。忆阻器通常由铁磁材料制成,当施加外加磁场时,会改变忆阻器的电阻值。 忆阻器的主要特点是能够响应磁场或者电场的变化,因此常用于磁场传感器和运算放大器等电路中。 总之,电容器、电感器、电阻器和...
1971年,加州大学伯克利分校蔡少棠教授首次提出忆阻器概念,作为电阻器、电感器和电容器之外的第四种基本电路元件,具备记忆功能。2008年,惠普成功制造了TiO2基忆阻器,但固态器件模拟化学突触存在困难。2021年,法国Bocquet团队预测二维纳米通道具备离子记忆功能,并在2023年构筑了基于受限聚电解质-离子相互作用的纳流体离子忆阻...
1971年,加州大学伯克利分校蔡少棠教授首次提出忆阻器概念,作为电阻器、电感器和电容器之外的第四种基本电路元件,具备记忆功能。2008年,惠普成功制造了TiO2基忆阻器,但固态器件模拟化学突触存在困难。2021年,法国Bocquet团队预测二维纳米通道具备离子记忆功能,并在2023年构筑了基于受限聚电解质-离子相互作用的纳流体离子忆阻...
忆阻器，作为电阻器、电感器和电容器之后的第四种基本电路元件，不仅具备记忆功能，还为固态器件模拟化学突触提供了可能。尽管惠普在2008年成功制造了TiO2基忆阻器，但固态器件与化学突触的模拟仍然面临诸多挑战。近年来，法国Bocquet团队取得了突破性进展。他们预测二维纳米通道具有离子记忆功能，并在2023年成功构筑了基于...
来源:内容来自公众号「世界科技期刊」,作者:WSPC-Journals,谢谢。忆阻器是传说中电阻器、电容器和电感元件以外的电路第四元件,始终处于实验阶段,但这个传说可能将实现。来自新加坡、美国和印度的国际团队研究出一种新型有机忆阻器,不只速度快且稳定性高,保存资料的
4个基本物理量两两构成了一副4象限关系图，对应4种基本电路元件：电阻器，电容器，电感器以及忆阻器。
电荷量Q、电压U、电流I和磁通量Φ是电磁学中重要的物理量,其中特定的两个物理量之比可用来描述电容器、电阻、电感三种电磁学元件的属性,如图所示。类似地,上世纪七十年代有科学家预言Φ和Q之比可能也是一种电磁学元件的属性,并将此元件命名为“忆阻器”,近年来实验室已研制出了多种类型的“忆阻器”。由于“忆阻...
4个基本物理量两两构成了一副4象限关系图，对应4种基本电路元件：电阻器，电容器，电感器以及忆阻器。
忆阻器是一种具有高初始电阻值的电子元件,其主要作用是保持电阻值的变化,拥有存储和记忆功能。忆阻器可以根据输入电压的变化去改变其电阻值,而这种变化可以被保持并用于后续的电路控制。忆阻器的应用范围较窄,通常用于模拟电路和存储器领域。 总之,电容器、电感器、电...