浮栅晶体管的工作原理涉及三个重要过程:写入、保留和删除电子。这些操作的实现基于量子隧道效应和电场控制。 1. 电子写入过程 在写入过程中,相对于基板向控制栅极施加高电压,从而产生强电场。此时,离子陷阱中的电子通过浮栅层的隧道效应被吸引并积累。当电压移除时,浮置栅极层会被绝缘层覆盖,以防止电子逃逸并维持当前的...
浮栅晶体管的工作原理是利用热电子注入和福勒-诺德海姆隧穿两种物理效应来实现数据的写入和擦除。当给控制栅和源极施加高电压时,沟道中的电子会被加速并获得足够的能量,从而穿透绝缘层并注入到浮栅中,使浮栅带负电荷,此时浮栅晶体管处于关闭状态,表示数据“0”。而当给控制栅施加负电压时,浮栅中的电子会通过量子隧...
要是加的电压比门槛值高,浮栅晶体管就开始导电;要是比门槛值低,就不导电。 2. 通过电流看电荷状态:在实际的电路里,一般是看源极和漏极之间电流的大小,来判断浮栅晶体管是不是导电。要是浮栅里存的电荷少或者没有,那给控制栅极加的正电压就容易起作用,能让沟道形成导电的通道,这时候晶体管就是导电的状态,源...
上图就是浮栅晶体管大致的组成图,是在NMOS的基础上在控制栅极下的绝缘层之间加入了一层浮栅层,用于储存电子。 其中与沟道接近的绝缘层二氧化硅厚度比较薄,电子在比较大的电场作用下,会隧穿进入浮栅层。 在写入电子时,在控制栅极施加相对于衬底的高压时,离子阱的电子被吸引并隧穿进入浮栅层被存储在其中,如果撤销电压...
它的存储原理是:通过控制浮栅电容的电荷状态来改变其输出特性。因此,它可以实现信息的存储和擦除,并且具有很高的可靠性和长期稳定性。 二、浮栅电容的形成 浮栅电容是浮栅晶体管的核心部分,也是实现信息存储的主要手段。它由两个层间电介质和两个金属电极组成,与源极、漏极、控制闸极和信号引出等...
浮栅晶体管的工作原理主要基于浮栅层的电荷存储与释放。浮栅层位于晶体管的控制栅和沟道之间,能够存储电荷。当对控制栅施加电压时,电荷会通过隧道效应进入浮栅层,从而改变晶体管的阈值电压。这种电荷存储状态可以被保持很长时间,使得浮栅晶体管具有非易失性存储的特性。 二、浮栅晶体...
EEPROM存储器的工作原理 基本结构 : EEPROM由浮栅晶体管构成,每个浮栅晶体管可以存储一个比特的数据。浮栅是一个隔离的导电区域,可以捕获和保持电子,从而改变晶体管的阈值电压。 写入操作 2024-12-16 16:35:54 IGBT绝缘栅双极晶体管 什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首...
浮栅晶体管是一种重要的电子器件,在现代电子工业中得到了广泛的应用。它的工作原理和传统的晶体管有所不同,通过引入了浮栅结构,使得它在逻辑门电路、放大器和存储器等领域具有独特的优势。 本文将首先对浮栅晶体管的定义和基本原理进行介绍。我们将探讨浮栅晶体管是如何通过控制栅电压来控制电荷的导通和截断的,从而实...
2022/11/16,西安电子科技大学微电子学院研究生课程——靳刚老师——数字集成系统设计——PROM、浮栅晶体管的原理、EPROM, 视频播放量 9、弹幕量 0、点赞数 1、投硬币枚数 0、收藏人数 0、转发人数 0, 视频作者 VicenChan, 作者简介 ,相关视频:西电国微EDA研究院研讨课—