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国防科技大学池雅庆课题组基于重离子辐射实验,首次发现太空高能粒子辐射在FinFET工艺SRAM中引起的固定位失效现象,即SRAM中部分存储位存储的二进制数据在重离子辐射后无法修改,永久固定为“0”或“1”。通过对失效存储位定位切片、纳米探针...
姓名: 池雅庆 学院: 计算机学院 学科: 电子信息 导师层次: 硕士生导师 基本情况: 长期从事高速SerDes、FinFET等先进集成电路设计及宇航可靠性研究,湖南省宇航学会理事,发表多篇领域顶会论文,学位论文曾获军优、省优,获发明专利授权20余项、国家科技进步二等奖1项、省部级一等奖2项。指导经验丰富,经费充足,...
《从实践到提高 池雅庆,廖峰,刘毅 编著 中国电力出版社,【正版现货】》,作者:从实践到提高 池雅庆,廖峰,刘毅 编著 中国电力出版社,【正版现货】池雅庆 著,出版社:中国电力出版社,ISBN:9787508353784。
单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键.室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺.自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难...
使用TCAD模拟工具,分析了纳米工艺下N+-N结、p+-p结和PN结深度的变化对PMOS以及NMOS单粒子瞬态(SET)脉冲宽度的影响,并考虑了电压温度变化下结深对晶体管单粒子瞬态的影响程度.结果表明,N+-N结的变化对PMOS晶体管单粒子瞬态脉冲宽度的影响最为显著.同时,还分析出N+-N、P+-P结在不同电压下的差异性较为...
2023 - 池雅庆,陈海燕,陈建军 - 《教育教学论坛》 - 被引量: 0 收藏相关文章 SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology 2023 - Liang, Bin,Chen, Jianjun,Chi, YaqingYuan, ... - 《Microelectronics and reliability》 - 被引量: 0 收藏相关文章 Hi...
作者 池雅庆; 方粮; 冯辉; 郝跃; 许晟瑞; 作者单位 中国计算机学会; 会议组织 正文语种 原文格式 PDF 中图分类 金属-氧化物-半导体(MOS)器件; 关键词 LDMOS; RESURF; 泊松方程; 解析模型; 二维电场分布; 入库时间 2024-12-27 02:25:56 相似文献 中文文献 外文文献 专利 1. 用阱作高阻漂移...