2023 - 池雅庆,陈海燕,陈建军 - 《教育教学论坛》 - 被引量: 0 收藏相关文章 SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology 2023 - Liang, Bin,Chen, Jianjun,Chi, YaqingYuan, ... - 《Microelectronics and reliability》 - 被引量: 0 收藏相关文章 Hi...
国防科技大学池雅庆课题组基于重离子辐射实验,首次发现太空高能粒子辐射在FinFET工艺SRAM中引起的固定位失效现象,即SRAM中部分存储位存储的二进制数据在重离子辐射后无法修改,永久固定为“0”或“1”。通过对失效存储位定位切片、纳米探针...
姓名: 池雅庆 学院: 计算机学院 学科: 电子信息 导师层次: 硕士生导师 基本情况: 长期从事高速SerDes、FinFET等先进集成电路设计及宇航可靠性研究,湖南省宇航学会理事,发表多篇领域顶会论文,学位论文曾获军优、省优,获发明专利授权20余项、国家科技进步二等奖1项、省部级一等奖2项。指导经验丰富,经费充足,...
作者:池雅庆、廖峰、刘毅 著出版社:中国电力出版社出版时间:2007年06月 手机专享价 ¥ 当当价 降价通知 ¥178.80 定价 ¥460.60 配送至 北京 至 北京市东城区 服务 由“墨香图书专营店”发货,并提供售后服务。 加入购物车 墨香图书专营店 进入店铺 收藏店铺 商品详情 开本:16开 纸张:胶版纸 包装:平装...
作者 池雅庆; 方粮; 冯辉; 郝跃; 许晟瑞; 作者单位 中国计算机学会; 会议组织 正文语种 原文格式 PDF 中图分类 金属-氧化物-半导体(MOS)器件; 关键词 LDMOS; RESURF; 泊松方程; 解析模型; 二维电场分布; 入库时间 2024-12-27 02:25:56 相似文献 中文文献 外文文献 专利 1. 用阱作高阻漂移...