在半导体材料领域,第一代半导体是“硅”(Si),第二代半导体是“砷化镓”(GaAs),第三代半导体(又称“宽禁带半导体”,WBG)是“碳化物”。硅(SiC)和氮化镓(GaN)。宽禁带半导体中的“能隙”,用最通俗的话来说,代表“一个能隙”,意思是“使半导体从绝缘变为导电所需的最小能量”。第一代和第二代半...
由于具有以上优异的特性,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET正越来越多的被应用于工业领域,且将被更大规模的应用。下图是IHS Markit给出的这两种功率半导体应用领域及其销售额预测。随着应用领域的扩大,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET的销售额也将随之大幅度增长。下图是IHS Markit提供的这两种功率半导体销售量预测。
那么碳化硅和氮化镓是个啥?碳化硅是指的碳化硅功率器件,碳化硅功率器件是一种高性能、高可靠性、高功率密度的半导体功率器件。它们是由基于碳化硅半导体材料的pn结、MOSFET或BJT(晶体管)等组成的,可用于各种电力和电子应用。与传统的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有更低的导通和关断损失,更高的工作温度和抗辐射性...
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料被认为是当今电子电力产业发展的重要推动力,已在新能源汽车、光储充、智能电网、5G通信、微波射频、消费电子等领域展现出较高应用价值,并具有较大的远景发展空间。以碳化硅为例,根据TrendForce集邦咨询最新《2024全球SiC Power Device市场分析报告》,预估2028年全球碳化硅功率...
氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)材料是最成熟的第三代半导体的代表,GaN通常以GaCl_3为镓源,NH_3为氮源制备,具有出色的抗击穿能力,能耐受更高的电子密度。(1)请写出基态Ga原子的核外电子排布式___。Ga、N和O的第一电离能由小到大的顺序为___。(2)GaCl_3熔点为77.9°,气体在270°左右以二聚物存在,GaF_3熔点...
在半导体材料领域,第一代半导体为“硅”(Si),第二代半导体为“砷化镓”(GaAs),第三代半导体(又称“宽能隙半导体”,WBG)是“碳化硅”(SiC)和“氮化镓”(GaN)。 宽禁带半导体中的“能隙”,用最通俗的说法,代表“一个能隙”,意思是“使半导体从绝缘变为导电...
机械革命280W碳化硅电源适配器为经典样式设计,机身与电源线线体分离设计方便用户到不同地区后换对应规格线缆使用,自带DC线缆弯头设计方便狭小角落使用,同时配双屏蔽磁环保证更好输出。电源支持100-240V宽电压输入,并通过了CCC认证以及VI级能效认证。充电头网通过拆解了解到,作为一款大功率笔记本电源,内部PCBA模块采用...
氮化镓凭借高频、高效、高耐压等特性在快充领域大放异彩,但截至目前来看,还主要集中在30W-100W功率段,因此很多轻薄笔记本能享受到氮化镓快充带来的好处,而游戏本用户只能看着眼馋,并期待小型游戏本电源推出的那一天早点到来。 而近期深圳市安述智能有限公司推出的一款氮化镓+碳化硅适配器,240W输出功率不仅可以喂饱目前市面...
实际上在开关频率超过200K之后,碳化硅的开关效率就会明显下降,在达到目前主流的500K的氮化镓电源的频率下,碳化硅的效率就会下降1%,如果是大功率电源,这百分之一的效率可是非常大的差距。 在高温高压应用,氮化镓是不如碳化硅的,所以对比市面上的碳化硅和氮化镓功率管,基本都是以600-800V耐压为分界线,氮化镓主流应用在这个...
作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1所示。