气相生长的原理主要涉及物质传输、表面反应和界面扩散三个方面。 首先是物质传输过程。在气相生长过程中,原料气体通过载气(如氢气、氮气)作为传输媒介,将气体中所需的物质带到生长区的基底表面。物质的扩散是由气氛中物质的浓度梯度引起的。控制物质传输有助于控制生长速率和材料质量。 其次是表面反应过程。原料气体与基...
赶紧通过[GBT 42954-2023 肥料中植物生长调节剂的测定 气相色谱-质谱联用法]一探究竟吧! 你觉得这种资源对你用处大不,还有啥别的类型资源想知道吗?
气相法生长晶体有多种方法,常见的有物理气相沉积法、化学气相沉积法、金属有机化合物气相沉积法等。一般采用化学气相沉积法来生长微电子材料(如Si、GaN、InP等)和光电子材料(如GaAs、InSb、HgCdTe等)的晶体。 生长晶体的主要过程包括三个步骤:第一步是晶体原料气体的转化和反应,在加热区,经过气...
作为将GaN类的半导体进行成膜的外延生长技术,有有机金属气相生长法(M0CVD法)。在有机金属气相生长法中,作为源气体而使用例如三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMI)、三甲基铝(TMA)等的有机金属或氨(NH3)等。[0004]在MOCVD法中,将储存在储存槽中的液体或固体的有机金属用氢等气体鼓泡(bubbling)或升华而生成含有有...
举个例子,MOCVD法生长GaAs,典型的实验方法为:压力为8kPa,温度为500-630℃;原料为H2搭载的TMGa/AsH3混合气体。在这样的条件下,TMGa+AsH3+H2反应生成GaAs。 同样的,碳化硅分别可用物理气相输运和高温化学气相沉积法生长单晶。如下图所示,物理气相输运的原料是碳化硅固体,在加热后变成气体,最后在籽晶的表面生长为晶体(...
碳纤维气相生长法的工艺流程主要包括碳源气体的准备、碳纤维生长的装置和生长条件的控制等步骤。其中,碳源气体的准备是最关键的一步,一般采用乙烯、甲烷等碳源气体。生长装置主要包括反应器、加热器、气体流量计、真空泵等设备。在生长条件的控制方面,主要是控制反应器的温度、压力和气体流量等参...
**气相生长法的特点** 气相生长法是一种重要的材料制备技术,广泛应用于半导体、陶瓷、薄膜以及纳米材料的合成中。该方法通过在气态环境中进行化学反应或物理过程,使所需物质在基底上沉积形成固体材料。以下是气相生长法的主要特点: 1. **广泛的适用性**: - 气相生长法可用于多种材料的合成,包括金属、非金属、化...
气相生长纳米纤维指的是将一种或多种气体通过热化学反应的方式在高温环境下使之发生有机化学反应,从而形成纳米级的纤维状材料。该技术可以生长出直径几纳米至几百纳米不等的纤维,且具有高纯度、高可控性、低成本等优势。因此,气相生长纳米纤维技术在纳米科...
MOCVD是一种通过气相沉积将锑化铟薄膜生长到基底上的技术。其过程如下：气体引入： 通过引入金属有机源（如三甲基铟和三甲基锑）与载气（如氮气或氢气）混合，形成前驱气体。基底加热： 将基底加热至适当的生长温度（通常在300-600°C之间）。薄膜生长： 在基底表面，金属有机源分解并形成锑化铟薄膜，气相沉积过程中...
本实施方式的气相生长装置具备:n(n为2以上的整数)个反应室;向n个反应室供给工艺气体的主气体供给路;设置于主气体供给路且控制流经主气体供给路的工艺气体的流量的主质量流量控制器;将主气体供给路分支的分支部;在分支部从主气体供给路分支并向n个反应室供给分流的工艺气体的n条副气体供给路;设置于n条副气体供给...