气相法生长晶体有多种方法,常见的有物理气相沉积法、化学气相沉积法、金属有机化合物气相沉积法等。一般采用化学气相沉积法来生长微电子材料(如Si、GaN、InP等)和光电子材料(如GaAs、InSb、HgCdTe等)的晶体。 生长晶体的主要过程包括三个步骤:第一步是晶体原料气体的转化和反应,在加热区,经过气...
碳纤维气相生长法的工艺流程主要包括碳源气体的准备、碳纤维生长的装置和生长条件的控制等步骤。其中,碳源气体的准备是最关键的一步,一般采用乙烯、甲烷等碳源气体。生长装置主要包括反应器、加热器、气体流量计、真空泵等设备。在生长条件的控制方面,主要是控制反应器的温度、压力和气体流量等参...
1.气相淀积(Chemical Vapor Deposition,CVD):它是气相生长的基本方法之一,通过反应气体在基底表面发生化学反应,沉积形成固态材料。CVD可以分为低压CVD和大气压CVD两种方式,可以用于生长晶体材料、薄膜材料等。 2.气固反应法:通过反应气体与基底表面的固态物质反应,生成新的化合物,并沉积在基底表面。此方法常用于生长金属...
晶体生长技术气相生长法是用于晶体生长的一种方法，通常包括升华和化学气相输运过程。升华法是将固体直接转变为气相，然后在低温区域重新凝结成晶体，此过程不经过液态阶段。例如，砷、磷以及化合物如ZnS、CdS等，可以通过升华法获得单晶。如图7所示，材料源在高温区域升华，晶体在低温区域凝结。化学气相输运技...
由于熔体中生长品体与从水溶液中生长品体有很大的差异,所以液相生长法乂可 区分为液相生长法和熔体生长法。气相生长法包含有大量变量使生长过程较难 控制,所以用气相法来生长大块单晶通常仅适用于那些难溶或熔体生长的材料。 溶液法生长范畴包括水溶液、有机溶剂和其他无机溶剂的溶液、熔盐(高温溶液) 以及水热溶液等...
气相生长是在高温、高压的氛围中进行的材料生长方法。它将气态的物质通过化学反应或热分解、氧化等方法,使其在基底表面沉积形成晶体或薄膜。气相生长法适用于许多半导体和陶瓷材料的生长,例如二氧化硅、碳化硅等。此外,气相生长法也可用于制备纳米材料和量子点。气相生长法的优势在于...
单晶材料的气相生长方法有3中，分别是：升华法、蒸气输运法、蒸气输运法。1、升华法是将固体在高温区升华，蒸气在温度梯度的作用下向低温区输运结晶的一种生长晶体的方法。2、蒸气输运法是在一定的环境（如真空）下，利用运载气体生长晶体的方法，通常用卤族元素来帮助源的挥发和原料的运输。3、气相反应...
气相沉积cv生长法 气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）是一种常用的薄膜生长技术，其中的一种方法被称为CV生长法。本文将对气相沉积CV生长法进行全面、详细、完整且深入地探讨。CV生长法基于气相沉积技术，通过在高温条件下使气体在反应器中分解，产生活性物种，从而在衬底上沉积出薄膜。以下是CV生长法的...
化学气相沉积生长法晶体,是将金属的氢化物、卤化物或金属有机物蒸发成气相,或用适当的气体做为载体,输送至使其冷凝的较低温度带内,通过化学反应,在一定的衬底上沉积,形成所需要的固体薄膜材料。薄膜可以是单晶态,也可以是非晶。 化学气相沉积法主要有以下几种类型: ...
气相生长法 /vapor growth method/ 最后更新2022-01-20 浏览244次 通过气相中的原子(或分子)在结晶界面上不断沉积实现晶体生长的技术。 英文名称 vapor growth method 所属学科 材料科学与工程