晶体管可以独立封装,也可以在很小的区域内封装,可容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。 严格来说,晶体管是指以半导体材料为基础的所有单体元件,包括由各种半导体材料制成的二极管、晶体管、场效应晶体管、晶闸管等。三极管多指晶体三极管。 晶体管主要分为两大类:双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。 晶体管...
NPN晶体管是最常见的双极结晶体管(BJT)。但是还有一个叫做PNP晶体管和它的工作方式是一样的，只是所有的电流都在相反的方向。在选择晶体管时，最重要的是要记住晶体管能承受多少电流。这叫做集电极电流(iC)。2. MOSFET的工作原理 MOSFET晶体管是另一种常见的晶体管。它还有三个引脚：· Gate(G)· Source(S)·...
由等效电路可将IGBT作为对PNP双极晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。 因此,在门极-发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时,PNP晶体管的基极-集电极就连接上了低电阻,从而使PNP晶体管处于导通状态,由于通过在漏极上追加p+层,在导通状态下,从p+层向n基极注入空穴,从而引发传导性能的转变。
8.4.1 双极结型晶体管大信号模型 正如我们刚刚了解到的,双极结型晶体管 (BJT) 可以在以下三个区域之一工作: 截止区:晶体管关闭,集电极和发射极之间没有电流流动(即集电极-发射极电阻无穷大)。 有源区:晶体管就像基本模型中的集电极和发射极之间的电流控制电流源。
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JFET:结型场效应晶体管 (1)在N沟道结型场效应晶体管(图3-3(a))中,当在漏极和源极之间施加电压时,电子从源极流向漏极。 (2)当在栅极和源极之间施加反向偏压时,耗尽层扩大并抑制(1)中的电子流动。(使电子流动的路径变窄) (3)如果栅极和源极之间的反向偏压进一步增加,耗尽层就会阻塞通道,电子流动停止。
煌生小课堂：晶体管（三极管）详解 1、双极结晶体管 也就是我们常说的NPN，PNP三极管，如下图是晶体管的电路符号，其中电流箭头均在发射极，NPN留出、PNP流入；它们可以通过基极来控制集电极与发射极的电流和电压，是一种全控器件。晶体管是两个PN节组成的，所以其特点与二极管的PN节类似。2、二极管电流放大 如下...
芯片内部有多小呢？如今我们在工业上运用的芯片最小制程，也就是我们人类能创造出的微小尺寸，已经达到 3nm，芯片内部可以集成上百亿个晶体管。芯片制造的“多层”思路 无数纳米级的电子元件在芯片上错落排布，是将每一个元件事先制好，再一个一个安放上去吗？图源pixabay（上）；Searchmedia - Wikimedia Commons...
为了解决这个问题，业界提出了FinFET和GAA两种新型晶体管结构。前者通过将沟道向上延展形成立体结构，后者采用栅极环绕沟道的结构，来缓解关断状态下的漏电和晶体管阈值随栅长变化带来的问题，也使得晶体管能够在更小的空间内实现更佳的性能。然而，由于晶体管结构从平面转换到了立体结构，难以继续通过等比例缩小晶体管...