掺杂位置可以是替位掺杂(如磷原子替代硅原子在晶格中的位置)或间隙掺杂(磷原子进入硅晶格的间隙位置)。 2.输入文件设置 -在CASTEP计算中,设置计算参数。 -交换-关联泛函:通常可以选择广义梯度近似(GGA)中的PBE泛函,它在计算晶体的电子结构等方面有较好的表现。 -截断能(Cut - off energy):通过收敛性测试确定...
酸锂晶体(IN)是一种优良的铁电晶体.和电光晶体及非线性光学晶体。纯的LN具有易受光损伤及作为全总记录材料时，记录灵敏度不高等缺点，对此，人们采用掺杂的办法来改变或提高LN的性能。定义 铌酸锂晶体(IN)是一种优良的铁电晶体.和电光晶体及非线性光学晶体。内容 纯的LN具有易受光损伤及作为全总记录材料时，记录...
Tm,Ho:KYW晶体的特征是大而宽的极化吸收和发射带,有效的能量传递Tm 3+→Ho 3+。铥、钬掺杂晶体常用于2μm激光,遥感(LIDAR技术),计量学和医疗应用,中红外光学参量振荡器(OPO)的泵浦源。
经过不断地研究和探索,就逐渐形成了离子掺杂晶体的理论。这里面的核心概念就是,通过精确控制掺杂离子的种类、数量和分布,就能改变晶体的各种性质,比如光学、电学、磁学性质等等。 2.2 运行机制与过程分析 那离子是怎么“住”进晶体这座“大厦”里,并且发挥作用的呢?这就好比在一个整齐排列的座位区里,突然来了几个...
掺杂晶体 /doped crystal/ 条目作者钟玖平 最后更新2023-03-16 浏览62次 引入非本征的组成或结构后的晶体。 英文名称 doped crystal 所属学科 化学 晶体自身具有固定的组成和有规则的排列结构。非本征,即物质本身非固有的,非本质的特征。例如,本征半导体指未掺入杂质的半导体。相对于无杂质半导体,含有杂质的半导体称...
本征硅指的是纯净的硅，没有被任何杂质掺杂的硅，其自由电子数和空穴数是相等的。本征硅是一种半导体...
据报道,具有高导电性和低光催化活性的二氧化锡(SnO2)是钙钛矿太阳能电池(PSC)中高效电子传输层(ETL)的最佳候选材料之一。最先进的二氧化锡层是通过化学沉积实现的,具有可调特性,而可调性低的商用二氧化锡纳米晶体(NCs)仍有进一步改进的必要。 ...
Er ,Yb 共掺杂磷酸盐玻璃常用于在“人眼安全”的1,5-1,6um范围内发射的激光,在4 I 13/2 energy能级的使用寿命长。有着高吸收和发射截面,宽吸收和发射带宽。而Er,Yb:YAB晶体作为Er,Yb:磷酸盐玻璃的替代品,具有三角结构的单轴晶体,高导热率的特点,在976 nm附近的宽吸收带宽。
晶体掺杂是将外加的少量杂质原子引入到半导体晶格中,在晶体内部形成复杂的能带结构,改变原半导体电学特性以获得新的特性。主要原因是通过加入掺杂原子,引入杂质能级,从而改变晶体的导电性和光学性质。 二、晶体掺杂的过程: 晶体掺杂的过程可以采用多种方法,其中比较常见的方法是离子注入和扩散法。离子注入是利用高能离子...