本发明的技术解决方案是:采用厚0.2～0.5mmC切LT或掺杂LN单畴晶片,±C面均精磨,抛光,用光刻技术在+C面制作周期A=3～20μm金属格栅作为电极,-C面对应区域镀平电极.高压矩形电脉冲正向施加于两电极间,其强度E=20kv～30kv/mm.施加的时间即脉冲宽度在10ms～1s之间.祝世宁朱永元闵乃本
本发明涉及一种稀土离子Ln3+掺杂铝酸钆锶激光晶体Ln3+:Gd2SrAl2O7,Ln3+=Nd3+,Yb3+,Tm3+,Dy3+,Er3+和Ho3+,其掺杂浓度0.1at%～50at%.该单晶体属于四方晶系,空间群为I4/mmm,晶胞参数为α=β=γ=90o,Z=2.在该单晶体中,三价稀土离子取代晶格中三价钆离子的格位.该化合物为同成分熔化化合物,熔点...
本发明涉及一种稀土离子Ln3+掺杂铝酸钆锶激光晶体Ln3+:Gd2SrAl2O7,Ln3+=Nd3+,Yb3+,Tm3+,Dy3+,Er3+和Ho3+,其掺杂浓度0.1at%～50at%. The present invention relates to a rare earth ion Ln3 + aluminum-doped gadolinium strontium laser crystal Ln3 +: Gd2SrAl2O7, Ln3 + = Nd3 +, Yb3 ...
本发明涉及一种稀土离子Ln3+掺杂铝酸钆锶激光晶体Ln3+:Gd2SrAl2O7,Ln3+=Nd3+,Yb3+,Tm3+,Dy3+,Er3+和Ho3+,其掺杂浓度0.1at%～50at%.该单晶体属于四方晶系,空间群为I4/mmm,晶胞参数为α=β=γ=90o,Z=2.在该单晶体中,三价稀土离子取代晶格中三价钆离子的格位.该化合物为同成分熔化化合物,熔点...
结果表明,Eu2-xKxCuO4系列材料经800°C焙烧6 h后,基本形成K2NiF4型相结构.Rietveld结构精修结果表明此氧化物晶体属于四方相结构,I4/mmm空间群.当掺杂量x=0.1时,Eu1.9K0.1CuO4的非化学计量氧含量δ=-0.4707,空位氧含量最高.电化学测试结果表明,750°C时在空气气氛中Eu1.9K0.1CuO4极化电阻Rp(2.12Ω?cm2)最...