掺杂和界面工程是两个非常不同的概念。掺杂工程是一种半导体制造过程，通过向晶体中加入其他元素，可以改变半导体材料的电性质，以改变其导电性或其他性质。这种过程可以通过控制掺杂元素的浓度，时间和温度来实现，从而制造出具有所需电性能的半导体材料。这在半导体制造行业中非常重要，因为掺杂可以使MOSFET（...
图1. o-B2N2单分子层结构与电子性质对o-B2N2进行析氢自由能计算，发现HER活性较低，材料设计方法包括各种技术，如尺寸约束、应变/电场的应用、引入缺陷和化学掺杂，以调节具有期望性能的HER活性的材料。作者对o-B2N2进行缺陷态设计，探究其析氢活性。图2空位态催化剂结构图。图2. o-B2N2单分子层缺陷结构：(a...
图7. C掺杂o-B2N2在析氢后的电子结构 从上面的讨论中可以很清楚地看出,掺杂剂和缺陷增强了o-B2N2单分子层的HER活性。从图8(a)(可以很清楚地看出,C掺杂和BN空位缺陷的o-B2N2单层比原始和B和N空位缺陷的o-B2N2的自由能最低。此外,在300 K下使用从头算分子动力学(AIMD)模拟(B和N位)单分子位)的热稳定...
掺杂可以调节催化剂的活性位点,提高催化效率。 3.缺陷工程:缺陷工程是通过在催化剂中引入空位、间隙、替位等缺陷,以改变催化剂的电子态和晶格结构。缺陷工程可以调控催化剂的活性和稳定性。 【四、实际应用案例】 例如,在氢气演化反应中,采用掺杂 Co、Ni 等金属的异质结构催化剂,可以显著提高催化剂的活性和稳定性...
缺陷工程是指通过引入晶体缺陷,如空位、间隙原子、杂质原子等,来调控催化剂的电子结构和晶格结构,从而提高催化剂的性能。缺陷工程在氧还原反应、电催化水分解等领域取得了显著成果。例如,研究者们通过控制氧空位浓度,成功实现了Fe 掺杂的 NiOx 催化剂在氧还原反应中的活性和稳定性调控。 总之,异质结构、掺杂和缺陷工程...
图7. C掺杂o-B2N2在析氢后的电子结构 从上面的讨论中可以很清楚地看出,掺杂剂和缺陷增强了o-B2N2单分子层的HER活性。从图8(a)(可以很清楚地看出,C掺杂和BN空位缺陷的o-B2N2单层比原始和B和N空位缺陷的o-B2N2的自由能最低。此外,在300 K下使用从头算分子动力学(AIMD)模拟(B和N位)单分子位)的热稳定...
(1)单/双金属掺杂工程对材料电子和性能的调控机制; (2)异质结构工程对材料电子及性能的调控机制; (3)两种工程策略对材料的协同调控效应,并突出了其在超级电容器、碱性离子电池和电催化方面的应用。 图文解析 图1 本综述示意图。 图...
常熟理工学院耿洪波&江苏科技大学杨骏：金属掺杂和界面密度工程诱导的二硒化镍助力快速的高能钠储存 与锂离子电池(LIBs)缺乏锂或钴资源相比，安全、丰富的SIB已成为未来大规模储能系统的研究重点，但其能量密度仍受高性能负极材料发展的限制。过渡金属硒化物(TMS)是过渡金属二硫化物(TMD)家族的成员，它们的物理和化学...
这是因为过渡金属的掺杂可以调节碳材料的电子结构,增强其与氧分子的相互作用。 五、缺陷工程在催化剂设计中的作用 1. 缺陷工程的概念 缺陷工程是指有意制备催化剂表面或体相的缺陷,以调节催化剂的结构和性质。常见的缺陷包括空位、断裂和特定晶面的缺陷等。 2. 缺陷工程的作用 缺陷工程可以调节催化剂表面的活性位点...
掺杂是指在催化剂活性成分中引入杂质元素,以改善催化剂性能。掺杂元素可以通过改变催化剂的电子态、晶格结构等途径影响催化剂的活性、选择性和稳定性。 4.缺陷工程的原理与应用 缺陷工程是指在催化剂中引入缺陷,以调节催化剂的性能。缺陷可以作为活性中心,提高催化剂的活性和选择性。同时,缺陷还能改善催化剂的稳定性,...