掺杂和界面工程是两个非常不同的概念。掺杂工程是一种半导体制造过程，通过向晶体中加入其他元素，可以改变半导体材料的电性质，以改变其导电性或其他性质。这种过程可以通过控制掺杂元素的浓度，时间和温度来实现，从而制造出具有所需电性能的半导体材料。这在半导体制造行业中非常重要，因为掺杂可以使MOSFET（...
1. 原子掺杂工程 原子掺杂工程是指通过向材料中引入外来原子,改变其晶格结构和电子结构,从而改善材料的性能和功能的过程。掺杂原子可以是同位素原子或异位素原子。 2. 单原子配位结构 单原子配位结构是指材料中的原子以单个原子的形式存在,通常是与材料基体中的原子形成化学键,并且具有特定的物理和化学性质。 二、 研...
安徽师范大学毛俊杰/杨健报道了一种掺杂工程化硫化铋预催化剂(BiS-1),其S在电化学重建为金属Bi后被部分保留,用于CO 2 RR在宽pH范围内以超高性能制备甲酸酯/甲酸。在中性和碱性溶液下的流动池中,最佳的BiS-1在2000 mA cm -2 下保持约95%的法拉第效率(FE)。此外,BiS-1催化剂在酸性溶液中显示出前所未有的高...
这是因为过渡金属的掺杂可以调节碳材料的电子结构,增强其与氧分子的相互作用。 五、缺陷工程在催化剂设计中的作用 1. 缺陷工程的概念 缺陷工程是指有意制备催化剂表面或体相的缺陷,以调节催化剂的结构和性质。常见的缺陷包括空位、断裂和特定晶面的缺陷等。 2. 缺陷工程的作用 缺陷工程可以调节催化剂表面的活性位点...
掺杂可以调节催化剂的活性位点,提高催化效率。 3.缺陷工程:缺陷工程是通过在催化剂中引入空位、间隙、替位等缺陷,以改变催化剂的电子态和晶格结构。缺陷工程可以调控催化剂的活性和稳定性。 【四、实际应用案例】 例如,在氢气演化反应中,采用掺杂 Co、Ni 等金属的异质结构催化剂,可以显著提高催化剂的活性和稳定性...
缺陷工程是指通过引入晶体缺陷,如空位、间隙原子、杂质原子等,来调控催化剂的电子结构和晶格结构,从而提高催化剂的性能。缺陷工程在氧还原反应、电催化水分解等领域取得了显著成果。例如,研究者们通过控制氧空位浓度,成功实现了Fe 掺杂的 NiOx 催化剂在氧还原反应中的活性和稳定性调控。 总之,异质结构、掺杂和缺陷工程...
掺杂是指在催化剂活性成分中引入杂质元素,以改善催化剂性能。掺杂元素可以通过改变催化剂的电子态、晶格结构等途径影响催化剂的活性、选择性和稳定性。 4.缺陷工程的原理与应用 缺陷工程是指在催化剂中引入缺陷,以调节催化剂的性能。缺陷可以作为活性中心,提高催化剂的活性和选择性。同时,缺陷还能改善催化剂的稳定性,...
得益于镍掺杂表面缺陷工程,Ni-VSe2/rGO复合材料的表面暴露出更多的活性位点,从而显著提高了对LiPSs的吸附能力,并显著提高了硫硫氧化还原反应的电催化活性。将Ni-VSe2/rGO复合材料涂覆在PP上制备的功能改性隔膜应用于Li-S电池中,有效抑制了...
Jha利用基于第一性原理的密度泛函理论,详细研究了原始、空位和掺杂碳(C)的o-B2N2单分子层的结构、电子性质和析氢反应(HER)活性。 计算方法 本文所有需要的计算都使用Quantum Espresso软件包实现DFT计算,采用电子交换和相关能量的广义梯度近似(GGA)(PBE)函数形式。采用3×3×1超胞结构进行计算,为了准确预测吸收剂...
图1. o-B2N2单分子层结构与电子性质对o-B2N2进行析氢自由能计算,发现HER活性较低,材料设计方法包括各种技术,如尺寸约束、应变/电场的应用、引入缺陷和化学掺杂,以调节具有期望性能的HER活性的材料。作者对o-B2N2进行缺陷态设计,探究其析氢活性。图2空位态催化剂结构图。