异质外延法是一种在不同晶体结构、晶格参数不同的材料上沉积薄膜的方法,其优点在于可以通过选择不同基底材料和在基底上沉积的材料来调控所得石墨烯的性质。在异质外延制备石墨烯中,一般采用化学气相沉积的方法,即通过在基底材料表面沉积碳气体,在合适的温度和气氛条件下使其形...
2.1 Frank-van der Merwe 生长模式层-层生长模式一般发生于晶格常数比较匹配,晶格失配较小,衬底与外延层之间的键能较高的两种异质材料之间。当外延层材料的的表面自由能σf与界面能σi之和远小于衬底材料的表面自由能σs时,衬底材料将非常强烈地趋于完全覆盖衬底表面(即层-层生长模式),也就是外延层与衬底浸润,因...
1.一种高质量异质外延方法,其特征在于,包括以下步骤: S1,在衬底上制作沟槽结构; S2,在制作有沟槽结构的一面异质外延外延层; S3,通过激光扫描外延层对其进行退火处理,使外延层中的应力释放或再次分配,即 得。 2.根据权利要求1所述的高质量异质外延方法,其特征在于,步骤S1中还包括对沟槽结 ...
基于蓝宝石、碳化硅、硅等衬底的GaN异质外延材料因其高性价比优势一直处于主流地位。对于异质外延GaN材料来讲,不断降低位错密度是其永恒的追求,过去四十多年研究人员先后发展出两步法、插入层法、横向外延过生长、图形化衬底等多种经典的...
一种利用二维纳米片膜诱导的异质外延生长法制备MOF@MOF杂化膜的方法.pdf,本发明属于MOF膜制备领域,公开了一种利用二维纳米片膜诱导的异质外延生长法制备MOF@MOF杂化膜的方法。即先在多孔载体表面通过溶胶凝胶法提拉引入ZnO纳米粒子活性层,将该载体置于无金属源的有机配体
1.一种GaN半导体材料的异质外延方法,在SiC衬底(111)面和蓝宝石衬底(0001)面上,利用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺,首先,淀积过渡层和掩膜,并按照涉及图案刻蚀掩膜,进入并暴露出缓冲层A1N作为生长种子区域;然后,将该种子区GaN的生长温度置于1050~1100°C的范围,压力置于40tor左右,按如下过程生长出完整平滑的低缺陷...
GaN 异质衬底外延技术(上)。#氮化镓 由于GaN 在高温生长时N 的离解压很高,很难得到大尺寸的GaN 单晶材料,因此,制备异质衬底上的外延GaN 膜已成为研究GaN 材料和器件的主要手段。目前,GaN的外延生长方法有:HVPE、分子束 - 硅时代·Simon于20231027发布在抖音,已经收
8.根据权利要求1所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法,其特征在于,所述预设气氛为流量比9/1的氩气/空气混合气氛。 9.根据权利要求1所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法,其特征在于,所述温度t为600℃～650℃。 10.根据权利要求1所述一种低维二氧化碲晶体的异质外延方法,其特征在于,所述时间t为15min...
研究通过一种简单的两步异质外延生长法成功地将立方相CaF2嵌入α相CsPbI3钙钛矿的晶格中,将这种复合纳米材料沉积在杂化钙钛矿Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45 (CsFAMA)薄膜的晶界及表面上,制备出了高效且长期运行稳定的钙钛矿太阳能电池。通过结合实验结果与第一性原理计算,可以证实所得到的CsPbI3/CaF2复合纳米材料中...
本发明有关一种异质外延晶圆的制造方法,在硅单晶基板上异质外延生长3c-sic单晶膜。 背景技术: 1、碳化硅(sic)是一种材料,与硅(si)的带隙1.1ev相比,具有2.2～3.3ev的宽广的带隙,因而具有较高的介电破坏强度,并且导热率也较大,因此被期待作为功率元件和高频用元件等各种半导体元件用的半导体材料。