而金属有机化学气相沉积法的生长速率适中,可以比较精确地控制膜厚,特别适合于工业化生产GaN基外延材料,这种方法目前已经成为使用最多、外延生长材料和器件质量最高的方法。 02 异质外延生长的基本模式 一般来讲,异质外延有三种生长模式:Frank-van der Merwe 生长模式(层状生长模式)、Volmer-Weber生长模式(岛状生长模式...
异质外延法是一种在不同晶体结构、晶格参数不同的材料上沉积薄膜的方法,其优点在于可以通过选择不同基底材料和在基底上沉积的材料来调控所得石墨烯的性质。在异质外延制备石墨烯中,一般采用化学气相沉积的方法,即通过在基底材料表面沉积碳气体,在合适的温度和气氛条件下使其形...
一种磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法,步骤如下:以砷化镓单晶片为衬底;用石墨或石英制成生长容器;将纯镓,纯锰和砷化镓晶体按比例放入生长容器中,在外延炉中经充分溶解,混合后,在过冷度下进行外延生长;生长溶液中x和y为原子比;在砷化镓等单晶片衬底上直接生长外延层;在衬底上生长单层结构,或生长多层结构;生长...
基于蓝宝石、碳化硅、硅等衬底的GaN异质外延材料因其高性价比优势一直处于主流地位。对于异质外延GaN材料来讲,不断降低位错密度是其永恒的追求,过去四十多年研究人员先后发展出两步法、插入层法、横向外延过生长、图形化衬底等多种经典的...
本发明属于MOF膜制备领域,公开了一种利用二维纳米片膜诱导的异质外延生长法制备MOF@MOF杂化膜的方法。即先在多孔载体表面通过溶胶凝胶法提拉引入ZnO纳米粒子活性层,将该载体置于无金属源的有机配体合成液中自转化为二维Zn2(bIm)4纳米片式膜层;然后将该具有二维纳米片式膜层的载体置于另外一种MOF合成液中,利用二维...
1.一种氧化镓薄膜的异质外延生长方法,其特征在于,包含如下步骤: 2.根据权利要求1所述的异质外延生长方法,其特征在于,衬底为c面蓝宝石衬底。 3.根据权利要求1或2所述的异质外延生长方法,其特征在于,所述预处理为将衬底在氢氟酸溶液中进行超声处理; 4.根据权利要求3所述的异质外延生长方法,其特征在于,所述镓源为...
研究通过一种简单的两步异质外延生长法成功地将立方相CaF2嵌入α相CsPbI3钙钛矿的晶格中,将这种复合纳米材料沉积在杂化钙钛矿Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45 (CsFAMA)薄膜的晶界及表面上,制备出了高效且长期运行稳定的钙钛矿太阳能电池。通过结合实验结果与第一性原理计算,可以证实所得到的CsPbI3/CaF2复合纳米材料中...
1.一种外延生长方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、生长n/p/n/p InP或InGaAsP层的部分或全部; S2、通过掩埋、干法或湿法刻蚀所需要外延生长的形状模型; S3、在形状模型内生长外延结构中所有含AL的材料。 2.根据权利要求1所述的外延生长方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括,在InP衬底上依次生长Buffer层、第一...
1.一种高质量单晶厚膜材料的异质外延方法,其特征在于,包括以下步骤: i.对衬底材料进行生长预处理; ii.外延生长第一阶段,实现应力有效释放的渐变调制——工艺参数从高质量生长条件逐渐变化到应力释放生长条件; iii.外延生长第二阶段,实现外延材料质量提高的渐变调制——工艺参数从应力释放生长条件逐渐回到高质量生长条件...
1.一种大尺寸单晶金刚石异质外延生长的方法,基于多晶金刚石衬底的大尺寸单晶金刚石外延生长,其特征在于通过在光洁的大尺寸多晶金刚石自支撑板表面沉积一层金属铱厚膜;接着,将金属铱厚膜作为单晶金刚石异质外延生长的界面的同时以金刚石作为衬底材料来避免不同衬底材料间过高的热膨胀系数差异而导致的巨大热应力和晶格失...