双电层电容常数 1. The ion conduction properties for the films deposited by PVD(rf sputtering)in pure Ar atmosphere were studied withelectric double layer capacity parametermethod. 用PMMA预聚合单体与 Li Cl O4粉末以不同比例直接混合均匀 ,固化成 3mm厚的板 ,以它为靶 ,在纯氩气气氛及 rf -溅射沉积...
1为现有涂覆有机低介电常数层的方法示意图,如图1所示,半导体晶片10包含有一位于绝缘层12内的底层导电区域11,一覆盖于该底层导电区域11及该绝缘层12表面的保护层13,该保护层13由氮化硅或碳化硅(SiC)所构成,其目的是为了防止底层导电区域中的导电原子(如铜原子)向外扩散至介电层,另一目的则是用来作为蚀刻终止层...
1.一种低介电常数层的制作方法,其特征在于,该方法包括: 在金属层之上或半导体器件的硅沉积上沉积初始介质层,该初始介质层采用二氧化硅作为沉积材料; 在初始介质层上沉积第一低介电常数层,该第一低介电常数层采用八甲基四硅烷OMCTS和氧气的混合气体沉积得到; 在第一低介电常数层上采用OMCTS和氩气形成第二低介电常...
首先对多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理,再对多孔低介电常数层进行处理条件较剧烈的第二紫外光固化处理,以完成其固化。 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说明书 1.一种固化多孔低介电常数层的方法,应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底,其中该多孔低介电常数层...
处理多孔超低介电常数层的方法 The method of treating a porous ultra low-k layer 本发明提供了一种处理多孔超低介电常数层的方法,该方法包括:在反应腔内提供半导体器件,所述半导体器件的表面具有多孔超低介电常数层,所述反应腔内的温度为300-400℃,......
百度试题 结果1 题目根头部略粗大,顶端有残茎1个或多个,被短硬毛。表面紫红色或暗紫色,皮部略薄,常数层相叠。木部较小。此药材是 A. 丹参 B. 赤芍 C. 甘草 D. 何首乌 E. 内蒙紫草相关知识点: 试题来源: 解析 E 反馈 收藏
局部常数层 2) φ Lipschitz functions 局部Nikol'skii常数 3) locally constant function 局部常值函数 4) Local Anomaly 局部异常 例句>> 5) variable be partly fixed 局部常化 1. A more precision formula for the period of a simple pendulum is obtained by using the method ofvariable be partly fixe...
本发明提供了一种处理多孔超低介电常数层的方法,该方法包括:在反应腔内提供半导体器件,所述半导体器件的表面具有多孔超低介电常数层,所述反应腔内的温度为300-400℃,压力为80-300巴;向所述反应腔内通入CO 法律状态 法律状态公告日 法律状态信息 法律状态 权利要求说明书 1.处理多孔超低介电常数层的方法,该方...
发明名称 超低介电常数层的制作方法 (57)摘要 本发明公开了一种超低介电常数层的制作 方法,该方法包括:在硅片的金属层上沉积低介 电常数层,采用光刻方式在所述低介电常数层上 形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层;以所述 光刻胶层为掩膜,刻蚀所述低介电常数层,形成 沟槽和通孔;湿法清洗去除光刻胶层后...