减小IC互连的RC时间常数的一种方法是利用介电常数(εr或k)比较低的层间和层内介质(ILD)来减小IC的各种元件之间产生的电容。这些材料的介电常数通常小于致密的二氧化硅的介电常数3.9。 一种低k ILD是由氢倍半硅氧烷(HSQ,即hydrosilsesquioxane)形成的多孔二氧化硅,此氢倍半硅氧烷是一种可以用甩涂技术淀积的可流动的...
一、波导设计 在光学波导中,高介电常数包层可以帮助限制光在波导核心中的传播,减少光的泄漏和散射。这种材料结构可以提高波导的传输效率和性能,使其在光通信和光学传感器等领域得到广泛应用。 二、电容器设计 在电子学中,高介电常数材料用于制...
处理多孔超低介电常数层的方法 The method of treating a porous ultra low-k layer 本发明提供了一种处理多孔超低介电常数层的方法,该方法包括:在反应腔内提供半导体器件,所述半导体器件的表面具有多孔超低介电常数层,所述反应腔内的温度为300-400℃,......
层则十正或层则十正或如果整式层则十正或层则十正或层则十正或恰好是一个完全平方式,那么常数层则十正或层则十正或层则十正或的值是( )层则十正或层则十正或 A. 将心难那
百度试题 结果1 题目根头部略粗大,顶端有残茎1个或多个,被短硬毛。表面紫红色或暗紫色,皮部略薄,常数层相叠。木部较小。此药材是 A. 丹参 B. 赤芍 C. 甘草 D. 何首乌 E. 内蒙紫草相关知识点: 试题来源: 解析 E 反馈 收藏
本发明提供的一种制备低介电常数介质层的方法,包括如下步骤: s01:在硅衬底上淀积非晶硅膜,并对非晶硅膜进行电化学阳极氧化,形成多孔非晶硅膜。 如附图1所示,利用标准cmos工艺在硅衬底101上制造需要的各种晶体管201、接触孔202、电容203、金属化前的隔离介质层204、电阻301等数字电路器件及互联结构,形成硅衬底上完...
本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以避免芯片中低介电常数材料层破裂。天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造...
52. 标准大气 根据高空探测数据和理论,人为规定的一种特性随高度平均分布的大气模式,它假定空气是干燥的,在86Km以下是均匀混合物,且处于静力学平衡和水平成层分布。 53. 太阳常数 在日地平均距离上,大气顶界垂直于太阳光线的单位面积上每分钟接受的太阳辐射称为太阳常数。ps...
2) locally constant sheaf 局部常数层3) centrifugal demixing constant 离心分层常数4) True formation dielectric constant 地层真介电常数5) electric double layer capacity parameter 双电层电容常数 1. The ion conduction properties for the films deposited by PVD(rf sputtering)in pure Ar atmosphere ...
局部常数层2) φ Lipschitz functions 局部Nikol'skii常数3) locally constant function 局部常值函数4) Local Anomaly 局部异常 例句>> 5) variable be partly fixed 局部常化 1. A more precision formula for the period of a simple pendulum is obtained by using the method of variable be partly ...