近日，山西转型综合改革示范区迎来山西烁科晶体SiC二期项目的顺利竣工和投产。该项目不仅提升了区域经济活力，还助力中国电科（山西）的碳化硅材料产业基地扩展产能和技术革新。这个高科技项目于2023年8月备案，10月提交建设申请，11月主体封顶，2024年3月进入设备安装阶段，目前正式投产。烁科晶体SiC二期项目坐落于山西转
据山西日报2020年报道,烁科晶体在实现第三代半导体碳化硅全产业链完全自主可控、完全掌握4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺,解决了关键技术工艺“卡脖子”问题的基础上,8英寸衬底片已经研发成功,即将量产,国内最大的碳化硅单晶衬底产业基地正加速形成。此外,烁科晶体碳化硅半导体材料产能国内第一,市场占有率超过50%,在...
中电科烁科晶体在2019年成功研发出了碳化硅晶体生长技术,一举打破国外垄断,成为国内第一家拥有碳化硅晶体生长技术的企业,随后实现了 4 英寸高纯度碳化硅单晶的商业化量产,直至不久前突破了12英寸技术,碳化硅单晶晶片在汽车芯片、家用电器电源、 - 记录山西发展于202501
据山西日报2020年报道,烁科晶体在实现第三代半导体碳化硅全产业链完全自主可控、完全掌握4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺,解决了关键技术工艺“卡脖子”问题的基础上,8英寸衬底片已经研发成功,即将量产,国内最大的碳化硅单晶衬底产业基地正加速形成。此外,烁科晶体碳化硅半导体材料产能国内第一,市场占有率超过50%,在...
据山西日报2020年报道,烁科晶体在实现第三代半导体碳化硅全产业链完全自主可控、完全掌握4-6英寸衬底片“切、磨、抛”工艺,解决了关键技术工艺“卡脖子”问题的基础上,8英寸衬底片已经研发成功,即将量产,国内最大的碳化硅单晶衬底产业基地正加速形成。此外,烁科晶体碳化硅半导体材料产能国内第一,市场占有率超过50%,在...