Al/Si接触中的尖楔现象?相关知识点: 试题来源: 解析 Al/Si接触时,Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散而离开接触孔的同时,Al就向接触孔内运动,填充因Si离开而留下的空间。在某些接触点处Al就象尖钉一样揳进到Si衬底中去,使pn结失效。这就是“尖楔”现象。
这是因为Al薄膜通常为多晶,杂质在晶界的扩散系数远大于在晶粒内的扩散系数。 2. Al/Si接触中的尖楔现象 由于硅在铝中的溶解度较大,Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散离开接触孔的同时,Al也会向接触内运动、填充因Si离开而留下的空间。如果... 查看原文...
尖楔现象是铝硅接触时,较多的铝溶解到硅中形成尖刺的现象。( ) A. 对 B. 错 你可能感兴趣的试题 单项选择题 为某孕妇进行电子胎心监护观察过程中,出现提示胎儿宫内缺氧的指标是 A、胎心率的波动范围在10~25次/分 B、变异的频率≥6次/分 C、早期减速 ...
百度试题 题目尖楔现象是___作为互连金属材料的突出缺点。相关知识点: 试题来源: 解析 Al/Si 反馈 收藏
什么是Al/Si接触中的尖楔现象?如何解决尖楔现象? 查看答案
【简答题】Al/Si接触中的尖楔现象? 答案:Al/Si接触时,Si在Al膜的晶粒间界中快速扩散而离开接触孔的同时,Al就向接触孔内运动,填充因Si离开而留下的空间。... 点击查看完整答案手机看题 你可能感兴趣的试题 问答题 【简答题】金属在IC中的作用有哪些? 答案:1、MOSFET栅电极材料,2、互连材料---将同一芯片...
D.在铝膜表面覆盖Si3N4。 查看答案 更多“IC采用铝互连系统时,下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象:”相关的问题 第1题 国家的本质在于其主权性 点击查看答案 第2题 所有的周期蛋白都具有周期蛋白框和破坏框结构 点击查看答案 第3题 振荡电路与放大电路的区别之一是:放大电路有输入信号作为激励,输出信号为输入...
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极,多采用下列哪种工艺方法:A.磁控溅射B.反应溅射C.电阻蒸镀D.LPCVDE.射频溅射F.PECVD
IC采用铝互连系统时,下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象:A.在淀积的铝膜中掺入约 1%Cu ;B.在淀积的铝膜中掺入约 1%Si ;C.在淀积铝之前先淀积一薄层 TiN 薄膜;D.在铝膜表面覆盖 Si3N4。的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业
在Al中添加1%的Si,可以避免“尖楔”现象。( )A.正确B.错误的答案是什么.用刷刷题APP,拍照搜索答疑.刷刷题(shuashuati.com)是专业的大学职业搜题找答案,刷题练习的工具.一键将文档转化为在线题库手机刷题,以提高学习效率,是学习的生产力工具