由于能带不是满带, 你电场方向上运动的电子较多,因此产生电流。绝缘体——原子中的电子是满壳层分布的,价电子刚好填满了许可的能带,形成满带, 导带和价带之间存在一个很宽的禁带,在一般情况下, 价带之上的能带没有电子,所以在电场的作用下没有电流产生。导体——在一系列能带中除了电子填充满的能带(满带)以外,...
导体、半导体和绝缘体的能带区别主要体现在它们的价带、导带和禁带结构上: 导体: 导体的价带和导带之间没有禁带,或者价带和导带部分重叠。 由于缺乏禁带,导体中的电子可以自由移动到导带中,导致导体具有很高的电导性。 半导体: 半导体具有一个相对较小的禁带,通常在电子伏(eV)的数量级。 在绝对零度时,电子...
导体总有半满带存在。绝缘体能带和T=0K时半导体能带是相似的。示意图如下 导体、绝缘体和半导体(顶部)能带示意图 绝缘体的禁带宽度E_g(Energy gap)较大,例如金刚石E_g=6\sim7eV。而半导体的禁带宽度通常为1eV左右,例如在温度为300K条件下,常见单晶半导体的禁带宽度如下表所示 SiGeGaAsEg(eV)1.120.671.43在半...
半导体具有一个相对较小的禁带,其宽度通常在电子伏的数量级。在绝对零度时,电子都位于价带中。但随着温度升高,一些电子能够获得足够的能量跨越禁带进入导带,使半导体表现出导电性。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间,且受温度影响较大。半导体材料如硅、锗等,在电子元器件制造中有广泛应用。 三、绝缘体的能带特点 ...
答:导体、半导体和绝缘体的能带结构及电子在能带中填充情况的示意图如下。导体、半导体和绝缘体的本质区别在于其能带结构不同及电子填充能带的情况不同。导体的能带结构为价带是导带,或者其价带与其它能带间有交迭,使得其价带为导带。半导体和绝缘体的能带结构相似,其价带均是独立能带,与其它能带间无交迭,且其价带均是...
绝缘体:价带为满带,禁带较宽达3~6eV,满带电子不能或较难激发到相邻的空带半导体:价带为满带,禁带宽度为0.1~1.5eV,一定条件下满带电子可激发到相邻的空带,从而在满带上留下空穴,空带中的电子和满带中的空穴都参与导电。导体:价带部分填入,电子很容易跃迁到高能态形成电流,或价带为满带,但与相邻空带相连...
为啥会有半导体和导体、绝缘体,要从原子的结构说起: 原子由三种不同的粒子构成:中性中子和带正电的质子组成原子核,以及围绕原子核旋转的带负电核的电子,质子数与电子数相等呈现中性。 这是一个碳原子的结构 2021-10-08 18:01:09 半导体的能带理论 ,其主要内容可概括为研究半导体中载流子(carrier)按能量状态的...
了解导体、半导体和绝缘体的能带结构对于现代电子学和材料科学具有极其重要的意义。比如,在制造集成电路时,我们需要精确控制半导体材料的导电性能,以实现各种电子元件的功能。而在电力传输中,选择合适的导体材料可以减少能量损耗。 随着科技的不断进步,对材料能带结构的研究也在不断深入。新的材料和技术不断涌现,例如二维...
g较小(约0.1~2eV)则为半导体。价带是决定晶体导电性能的主要因素。如果晶体材料的价带是满带,且此满带与其上面的最低空带之间禁带△Eg较大(约3~6eV),则为绝缘体;如果晶体材料的价带是导带,或价带虽为满带但与其上面最低空带部分重叠(包括相接)则为导体;如晶体材料的价带是满带,但满带与其上面最低空带...
解析 导体、绝缘体、半导体的能带结构示意于下图。导体中有未填满的导带,因而有良好的导电性;绝缘体中虽有空的导带,但导带与价带间的禁带宽度(或能隙)很大,故很难导电;半导体中有空的导带,且导带与价带间的禁带宽度较小,故有一定导电性。反馈 收藏