绝缘体:价带为满带,禁带较宽达3～6eV,满带电子不能或较难激发到相邻的空带半导体:价带为满带,禁带宽度为0.1～1.5eV,一定条件下满带电子可激发到相邻的空带,从而在满带上留下空穴,空带中的电子和满带中的空穴都参与导电。导体:价带部分填入,电子很容易跃迁到高能态形成电流,或价带为满带,但与相邻空带相连...
答:导体、半导体和绝缘体的能带结构及电子在能带中填充情况的示意图如下。导体、半导体和绝缘体的本质区别在于其能带结构不同及电子填充能带的情况不同。导体的能带结构为价带是导带,或者其价带与其它能带间有交迭,使得其价带为导带。半导体和绝缘体的能带结构相似,其价带均是独立能带,与其它能带间无交迭,且其价带均是...
导体、半导体和绝缘体的能带区别主要体现在它们的价带、导带和禁带结构上: 导体: 导体的价带和导带之间没有禁带,或者价带和导带部分重叠。 由于缺乏禁带,导体中的电子可以自由移动到导带中,导致导体具有很高的电导性。 半导体: 半导体具有一个相对较小的禁带,通常在电子伏(eV)的数量级。 在绝对零度时,电子...
答:电子填充情况及能带结构不同:绝缘体最高能带电子填满,导体最高能带电子未填满,半导体最 高能带电子填满能带。导体中一定存在电子未填满的带,绝缘体、半导体的能带只有满带和空带。绝缘体 的能带与价带相互独立,禁带较宽;半导体能带与价带相互独立,禁带较窄,一般在 2eV以下;导体价电 子是奇数的金属,导带是半满...
导体总有半满带存在。绝缘体能带和T=0K时半导体能带是相似的。示意图如下 导体、绝缘体和半导体(顶部)能带示意图 绝缘体的禁带宽度E_g(Energy gap)较大,例如金刚石E_g=6\sim7eV。而半导体的禁带宽度通常为1eV左右,例如在温度为300K条件下,常见单晶半导体的禁带宽度如下表所示 ...
导体、半导体和绝缘体的主要区别正体现在它们的能带结构上,特别是价带、导带和禁带的配置。 一、导体的能带特点 导体的价带和导带之间没有禁带,或者价带和导带部分重叠。这种结构使得导体中的电子可以轻易地从价带跃迁到导带,因此导体具有很高的电导性。在外加电场的作用下,导体内的自由电子可以轻易移动,形成电流。导体...
导体、半导体、绝缘体的能带论解释。相关知识点: 试题来源: 解析 答:主要体现在禁带及其宽度上。 导体:电子除了一系列能带形成满带,还有一部分填充了其他能带形成导带。 半导体与绝缘体:电子刚刚好填满一系列能带,形成满带,导带中没有自由电子,半导体带隙宽度较绝缘体带隙宽度小。
g较小(约0.1~2eV)则为半导体。价带是决定晶体导电性能的主要因素。如果晶体材料的价带是满带,且此满带与其上面的最低空带之间禁带△Eg较大(约3~6eV),则为绝缘体;如果晶体材料的价带是导带,或价带虽为满带但与其上面最低空带部分重叠(包括相接)则为导体;如晶体材料的价带是满带,但满带与其上面最低空带...
半导体:价带已填满,禁带宽度较小,满带中电子在不很强外界影响下即可进入空带,参加导电,同步满带中留下空穴也可参加导电。 绝缘体:价带已被电子填满,成为满带,在满带和空带之间禁带宽度很大,满带中很少有电子能被激发到空带中去,在外电场作用下,参加导电电子很少。反馈...
③本本征半导体的情况和绝缘体类似,区别是其禁带能隙比较小,当受到热激发或外场作用时,满带中的电子比较容易越过能隙,进入上方空的允带,从而使材料具有一定的导电能力; ④掺杂半导体则是通过掺入异质元素,从而提供额外的自由电子或者额外的空穴以供下层电子向上跨越,使得跨越禁带的能量变低,电子更加容易进入上层的空...