利用这类新型的忆阻器可以实现数据存储的同时也能够原位计算 ,使存储和计算一体化[ 14-17 ],从根本上消除了内存瓶颈。这类新型的忆阻器包括磁效应忆阻器( magnetic random-access memory ,MRAM )、相变效应忆阻器[ 21- 23 (] phase- change random- access[24- 26] memory,PRAM)和阻变效应忆阻器(resistive r...
利用这类新型的忆阻器可以实现数据存储的同时也能够原位计算 ,使存储和计算一体化[ 14-17 ],从根本上消除了内存瓶颈。这类新型的忆阻器包括磁效应忆阻器 ( magnetic random-access memory ,MRAM )、相变效应忆阻器[ 21- 23 (] phase- change random- access[24- 26] memory,PRAM)和阻变效应忆阻器 (resistive...
利用这类新型的忆阻器可以实现数据存储的同时也能够原位计算 ,使存储和计算一体化[ 14-17 ],从根本上消除了内存瓶颈。这类新型的忆阻器包括磁效应忆阻器 ( magnetic random-access memory ,MRAM )、相变效应忆阻器[ 21- 23 (] phase- change random- access[24- 26] memory,PRAM)和阻变效应忆阻器 (resistive...
利用这类新型的忆阻器可以实现数据存储的同时也能够原位计算 ,使存储和计算一体化[ 14-17 ],从根本上消除了内存瓶颈。这类新型的忆阻器包括磁效应忆阻器 ( magnetic random-access memory ,MRAM )、相变效应忆阻器[ 21- 23 (] phase- change random- access[24- 26] memory,PRAM)和阻变效应忆阻器 (resistive...