忆阻器的概念最早由蔡少棠教授提出，最早由阻变存储器，即RRAM实验验证，因此经常以RRAM作为忆阻器的代表。当然，严格来说，根据材料和物理机制，忆阻器件可分为阻变存储器（Resistive Random-Access Memory, 简称RRAM或ReRAM)，相变存储器（PCRAM），磁随机存储器（MRAM）和铁电随机存储器（FeRAM）等不同种类。此外...
9.如果SET和RESET的电压值(绝对值)两者差距太大,也会导致忆阻器的耐用时间减小,如图13所示,因此最好用Balance的设计,即SET和RESET的电压值大小一样,此时耐用时间最长。 图14 T- accelerated retention test 10.根据基于温度的耐久性测试,RRAM的retention表现很好,标准高温测试可以用10年以上,如图14所示,比常规的存储...
(可重构的忆阻器存算一体架构 图源:清华大学)专家表示,从定义来看,忆阻器(英文:memristor)为电阻受先前通过电荷量控制的电子器件,其特点为通常具有电流电压蝴蝶形回滞曲线。忆阻器的概念最早由蔡少棠教授提出,最早由阻变存储器,即RRAM实验验证,因此经常以RRAM作为忆阻器的代表。 当然,严格来说,根据材料和物理机制,忆...
现如今,随着工艺的不断成熟,学界关于忆阻器(RRAM)存算一体的研究正愈发积极:在2022年度ISSCC会议上,台积电发表六篇关于存内计算存储器IP的论文,大力推进基于忆阻器(RRAM)的存内计算方案。 尽管过去业内对忆阻器(RRAM)有着"不够成熟、主要面向小算力应用场景"等误解,不过自2023年始,多家存算一体AI芯片初创公司也...
而在存算一体芯片的存储器件选择中,基于忆阻器(RRAM)设计的存算一体芯片具有非易失性、读写速度快、稳定性强、功耗低、 CMOS工艺兼容、微缩化发展天花板高等优势,相比于SRAM、Flash,忆阻器(RRAM)更适用于存算一体AI大算力赛道。 不过,据EETOP表示,忆阻器依然面临着严峻的挑战,其中一个关键挑战就是模拟计算的误差累...
而在产业界中,亿铸科技从公司创立之初就坚定地选择忆阻器(RRAM)存算一体路线。 尽管过去业内对忆阻器(RRAM)有着“不够成熟、主要面向小算力应用场景”等误解,不过自2023年始,多家存算一体AI芯片初创公司也纷纷公开表示,未来将布局基于忆阻器(RRAM)的存算一体产品。
而在产业界中,亿铸科技从公司创立之初就坚定地选择忆阻器(RRAM)存算一体路线。 尽管过去业内对忆阻器(RRAM)有着“不够成熟、主要面向小算力应用场景”等误解,不过自2023年始,多家存算一体AI芯片初创公司也纷纷公开表示,未来将布局基于忆阻器(RRAM)的存算一体产品。
而在产业界中,亿铸科技从公司创立之初就坚定地选择忆阻器(RRAM)存算一体路线。 尽管过去业内对忆阻器(RRAM)有着“不够成熟、主要面向小算力应用场景”等误解,不过自2023年始,多家存算一体AI芯片初创公司也纷纷公开表示,未来将布局基于忆阻器(RRAM)的存算一体产品。
下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)的一个很好的选择。
其中,电阻式随机存取存储器(RRAM)依靠改变电阻水平来存储数据。最近发表在《Angewandte Chemie》杂志上的一项研究详细介绍了清华大学李原领导的研究小组的工作,他们开创了一种制造超分子忆阻器的方法,而忆阻器是构建纳米随机存取存储器的关键部件之一。