5nm以下技术节点,MOS器件特征尺寸继续遵循摩尔定律,持续按比例缩小,基于PN结理论的 MOS场效应晶体管器件弊端就愈加明显:器件沟道长度不断缩小,源漏间距离越来越近。为防止源漏穿通,产业界普遍采用超陡峭源漏浓度梯度掺杂工艺,这将严重限制器件工艺的热预算。此外,由于掺杂原子的统计分布及一定温度下掺杂原子易于扩散的自然属性,纳