由于功率MOSFET(MOS场效应晶体管)体内没有引入电导调制机制,其基区电阻得不到注入电流的调制.特别是它的通态电阻RDSon随其耐压的2.5次方成比例急剧增大.所以,人们通常认为,功率MOSFET的通态压降比同电压等级的普通双极晶体管要大,甚至大得多.功率MOSFET难得在高电压大功率场合下应用.这是有一定道理的.……关键词:双...
5nm以下技术节点,MOS器件特征尺寸继续遵循摩尔定律,持续按比例缩小,基于PN结理论的 MOS场效应晶体管器件弊端就愈加明显:器件沟道长度不断缩小,源漏间距离越来越近。为防止源漏穿通,产业界普遍采用超陡峭源漏浓度梯度掺杂工艺,这将严重限制器件工艺的热预算。此外,由于掺杂原子的统计分布及一定温度下掺杂原子易于扩散的...
5nm以下技术节点,MOS器件特征尺寸继续遵循摩尔定律,持续按比例缩小,基于PN结理论的 MOS场效应晶体管器件弊端就愈加明显:器件沟道长度不断缩小,源漏间距离越来越近。为防止源漏穿通,产业界普遍采用超陡峭源漏浓度梯度掺杂工艺,这将严重限制器件工艺的热预算。此外,由于掺杂原子的统计分布及一定温度下掺杂原子易于扩散的...