固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。没有外延的再结晶过程不属于固相外延。 固相外延主要有两种生长方式:一种是非晶层直接与单晶衬底相接触,进行外延生长;另一种是将一层金属或碳化物夹在非晶层和单晶硅衬底之间进行固相外延。金属和碳化物起到输运介质的作用。有多种...
固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化,而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点,非晶区以固相外延方式生长后,位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶(a/C.界面的缺陷称为射程...
固相外延(Sohd Pha⒃Epitav,SPE)是将晶体衬底上的非晶(或多晶)薄膜(或区域)在高温下退火,MAX1811ESA使其转化为单晶。例如,单晶硅片采用离子注入工艺掺杂①,当掺杂剂量大或能量高时,杂质注入区域出现非晶化,这时通过高温退火,如在950℃保温30min,使非晶区域固相外延转化为单晶。SPE工艺常常和其他薄膜制备I艺联合使...
固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化,而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点,非晶区以固相外延方式生长后,位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶(a/C.界面的缺陷称为射程...
固相外延是一种重要的半导体薄膜制备方法,具有制备高质量、大面积、均匀性好的薄膜的优点。本文将详细介绍固相外延制备薄膜的方法。 二、材料准备 1.半导体衬底:通常采用单晶硅衬底。 2.外延材料:根据所需薄膜的材料,选择相应的半导体材料。 3.外延所需的气体:通常为三氯化氮、三氯化铝等。 4....
半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。硅外延生长方法，又可分为气相外延、液相外延、固相外延。目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法满足晶体的完整性、器件结构...
固相外延是指半导体单晶上的非晶层在低于该材料的熔点或共晶点温度下外延再结晶的过程。固相外延存在问题——射程末端缺陷EOR高剂量注入促使硅非晶化，而稳定的位错环是高剂量注入的一个突出特点，非晶区以固相外延方式生长后，位错环的最大浓度在非晶和晶体硅的界面。这些位于最初的非晶/单晶（a/C.界面的缺陷称为...
固相外延设备 固相外延设备是一种用于信息科学与系统科学、物理学领域的仪器，于2015年12月30日启用。技术指标 PRO Line Solid Phase Epitaxy S。主要功能 测量用。
1 / 8 收藏 分享 下载 举报 用客户端打开