发射极电流集边效应,发射极电流集边效应是BJT在大电流工作时出现的一种现象。BJT在大电流工作时容易出现的另外两种重要现象是基区电导调制效应和基区扩展效应。
答案 答:一般情况下,在设计NPN晶体管的版图,要考虑版图设计对发射极电流集边效应的影响,发射极电流集边效应所造成的直接后果就是使得发射极电流集中到边缘,从而减小了发射结的有效面积。发射极电流集边效应是因为NPN晶体管的基极电阻引起的,包括发射区正下方基区的横向扩散电阻和发射区正下方以外基区横向电阻,因为基...
发射极电流集边效应是由于发射极与集电极之间的距离较近,因此在发射区域的电子云容易扩散到集电区域。这样一来,随着电子的扩散,发射电流在集电区域集聚,增加了晶体管或场效应管的导通能力。 发射极电流集边效应的存在会导致以下影响: 1.发射极电流增大,导致静态工作点发生偏移。 2.器件的输入阻抗减小,容易导致电路...
对于电路应用来说,我们也可以采用一些补偿电路来抵消集边效应带来的负面影响。通过引入合适的补偿电路,可以在一定程度上减小集边效应对器件性能的影响,提高器件工作的稳定性和可靠性。 克服发射极电流集边效应需要从多个方面入手,对器件制造工艺、结构设计和电路应用等进行综合考虑和改进。只有全面理解和认识这一效应,并...
53第4章_2发射极电流集边效应 半导体器件物理(1)
发射极电流集边效应是指发射极电流与集电极电压之间的关系。当电压逐渐增大时,发射极电流也会相应地增大。这个现象的本质原理在于双极型晶体管的工作机制。双极型晶体管由发射极、基极和集电极三个区域组成。当基极与发射极之间的电压允许电流通过时,电子就可以从发射极流向集电极,形成发射极电流。当电压增大时,电子的能...
且不考虑发射结侧壁 对电流的贡献 , 认为电位和电流的分布与 y , z 无关 , 仅是 x 的函数 ; (4 对称性假设 :晶体 管的结构相对于发射区中心 x =0的平面是镜 面对称的 , 电位和电流的分布也应该是对称的 , 从而 x =0处的基区电位 V (x 下降至极小值 , 可以设它为零 (因为电位是相对量 ,...
(3) 基区自偏压效应:基区电流水平流过基区,在有源基区上产生压降,使靠近基极条处的电势与远离基极条处的电势不相等,而发射区搀杂浓度较高,电势相等,从而使EB结上压降不相等,这种效应是由有源基区电阻rb1引发的,称为基区自偏压效应。 (4) 发射极电流集边效应:由于基区电阻致使的基区自偏压效应,发射结...
发射极电流集边效应 4.ppt,* 3.9 双极型晶体管的功率特性 内容 大电流(大注入) 高电压(击穿) 大功率 1、 大注入效应 2 、有效基区扩展效应 3、发射极电流集边效应 4、 晶体管最大耗散功率PCM 5、二次击穿和安全工作区 1、 大注入效应 1)任意注入下基区内建电场 (1)大