而发射极电流集边效应是指在双极型晶体管工作时,由于不均匀分布的电场,使得电子在集电极和基极之间的传输受到影响,从而导致电流的极性和大小发生变化。 2. 发射极电流集边效应的成因 发射极电流集边效应的主要成因包括集电极和发射极之间的电场不均匀以及集电极和基极之间的电荷分布不均。在实际工作中,由于器件制造工艺...
发射极电流集边效应是指发射极电流与集电极电压之间的关系。当电压逐渐增大时,发射极电流也会相应地增大。这个现象的本质原理在于双极型晶体管的工作机制。双极型晶体管由发射极、基极和集电极三个区域组成。当基极与发射极之间的电压允许电流通过时,电子就可以从发射极流向集电极,形成发射极电流。当电压增大时,电子的能...
*国家自然科学基金资助项目器件研究与制造晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨*石林初(中国华晶电子集团公司,无锡214061摘要由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应,是限制晶体管承载电流能力的因素之一[1~4]。本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特...
1、*国家自然科学基金资助项目器件研究与制造晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨*石林初(中国华晶电子集团公司 , 无锡 214061摘要 由基区电阻的自偏压引起的晶体 管发射极电流集边效应 , 是限制晶体管承 载电流能力的因 素之一 14。 本文以发 射极电流集边效应发生的程度 , 分为四个区域 , 详细探讨了...
本文以发射极电流集边效应发生的程度,分为四个区域,详细探讨了归一化电位和电流密度分布的特点,指出:在Ⅰ~Ⅱ区,发射极电流集边效应不明显,晶体管承载电流能力主要由发射区面积决定;在Ⅰ~Ⅲ区,发射极电流集边效应明显,晶体管承载电流能力由发射区面积和发射区有效周长共同决定;在Ⅰ~Ⅳ区发射极电流集边效应已非常...
关于晶体管发射极电流集边效应理论的研究 维普资讯 http://www.cqvip.com
发射极电流集边效应理论的SPICE模拟验证 发射极电流集边效应是由晶体管基极电阻的自偏压引起的,描述该效应的微分方程早已建立,这里设计了一种用SPICE验证精确解/近似解的新方法。结果表明:近似解是在V(x)〈〈... 石林初,杜行尧 - 《Journal of Semiconductors》 被引量: 10发表: 2000年 关于晶体管发射极电流...
【简答题】一般的晶体管称为双极型晶体管,FET称为( )型晶体管。 查看完整题目与答案 【判断题】晶体管中三个电流的关系是发射极电流=集电极电流+基极电流。 A. 正确 B. 错误 查看完整题目与答案 【简答题】磁感应强度B和矢量磁位A的关系为(),分布在空间V’内的电流密度为Jc(r’)的电流在空间...
百度试题 题目发射极电流集边效应的本质是由于晶体管内部存在有寄生串联电阻的影响。A.正确B.错误 相关知识点: 试题来源: 解析 A 反馈 收藏
百度试题 结果1 题目以下___直接导致NPN晶体管的输出阻抗变小?Webster效应发射结复合电流影响发射极电流集边效应基区宽度调制效应 相关知识点: 试题来源: 解析 基区宽度调制效应 反馈 收藏