反应离子刻蚀是上述两种刻蚀方法相结合的产物，它是利用有化学反应性气体产生具有化学活性的基团和离子。经过电场加速的高能离子轰击被刻蚀材料，使表面受损，提高被刻蚀材料表面活性，加速与活性刻蚀反应基团的反应速度，从而获得较高的刻蚀速度。这种化学和物理反应的相互促进，使得反应离子刻蚀具有上述两种干法刻蚀所没有的...
反应离子刻蚀(RIE)作为制作半导体集成电路的一种重要刻蚀工艺,具有一系列的优点和缺点。 1、优点 (1)良好的形貌控制能力:反应离子刻蚀可以实现各向异性刻蚀,这对于获得精细和复杂的图形结构非常有利。 (2)较高的选择比:与某些其他刻蚀技术相比,反应离子刻蚀能够更有效地区分并去除特定的材料层,从而实现对不同材料的...
🌈 反应离子刻蚀(RIE:Reactive Ion Etching)是一种结合了物理离子轰击和化学反应的刻蚀技术,广泛应用于硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、半导体材料、聚合物和金属的刻蚀,以及光刻胶的去除。🔬 RIE的原理: RIE过程涉及活性粒子和带电离子的共同作用。活性粒子(中性粒子)与被刻蚀材料发生化学反应,生成物或...
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反应离子刻蚀系统是一种用于物理学、材料科学领域的工艺试验仪器，于2014年06月17日启用。技术指标 反应气体：O2, Ar, CF4，CHF3，SF6 RF最大功率：300W；电极尺寸：240mm；刻蚀材料：硅基材料；最大晶片尺寸：4英寸。主要功能 主要用于硅基材料的刻蚀，包括硅、氧化硅、氮化硅等，可用于各种微纳器件与结构的...
反应离子刻蚀的过程可以分为三个主要阶段:电离阶段、加速阶段和反应阶段。 1.电离阶段:利用高频放电使得气体中的原子或分子电离,产生大量正离子和电子。 2.加速阶段:通过电场作用,正离子在电场中加速并进入工作间隙,形成高速离子束。 3.反应阶段:离子束与材料表面发生碰撞,产生物理或化学反应,刻蚀材料表面。 设备 反...
氟离子与硅反应生成四氟化硅（SiF₄），这是一种挥发性的化合物，可以被真空泵抽走。特点 1、各向异性刻蚀 （1）RIE 可以实现较高程度的各向异性刻蚀，即刻蚀主要在垂直于样品表面的方向进行，而横向刻蚀非常小。这对于制作高深宽比的结构非常重要，例如在半导体制造中刻蚀纳米级的晶体管结构。（2）通过调整刻蚀...
反应离子刻蚀(RIE)作为制作半导体集成电路的一种重要刻蚀工艺,具有一系列的优点和缺点。 1、优点 (1)良好的形貌控制能力:反应离子刻蚀可以实现各向异性刻蚀,这对于获得精细和复杂的图形结构非常有利。 (2)较高的选择比:与某些其他刻蚀技术相比,反应离子刻蚀能够更有效地区分并去除特定的材料层,从而实...