反应离子金属刻蚀系统是一种用于工程与技术科学基础学科领域的工艺试验仪器，于2016年04月15日启用。技术指标 ICP 源：3000W 2MHz RF 源：600 W 13.56MHz 晶片尺寸：最大 6 英寸 Au刻蚀：速率＞100nmmin；对PR选择比＞1 Cr刻蚀：速率＞50nm/min；对PR选择比＞0.5 Al刻蚀：速率＞250nm/min；对PR选择比...
型号 反应离子刻蚀系统JL-VM30 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动...
***初的ICP反应器由石英管组成，射频线圈缠绕在石英管周围，以产生等离子体，从而产生各向异性蚀刻。感应耦合反应离子刻蚀系统ICPRIE有多种类型，其中一种重要类型是将电容耦合偏压与样品台相结合，以实现电感耦合RF等离子体蚀刻特性的工艺控制。应用包括电介质材料的干蚀刻。
产品名称: PlasmaStar 200/200 RIE 反应离子刻蚀系统 反应离子蚀刻机 产地: 美国(原装进口) 服务: 完善 品质: 保障 售后: 齐全 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议...
等离子体反应离子刻蚀系统是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，于2005年9月15日启用。技术指标 最大样品尺寸为4英寸。 ● SiO2刻蚀 刻蚀速率：100nm/min；刻蚀均匀性：±6% on 4” wafer；刻蚀选择性：50:1 to AI，50:1 to Cr；微结构轮廓控制：89o-90o ● Si刻蚀 刻蚀速率：300nm/min；刻蚀均匀性：...
反应离子束刻蚀系统 反应离子束刻蚀系统是一种用于物理学领域的科学仪器，于2015年12月25日启用。技术指标 配备了6路带质量流量计的工艺气路： SF6， CF4，CHF3，O2，N2, Ar。主要功能 刻蚀二氧化硅、氮化硅介质膜。
PlasmaStar 200/200 RIE 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀机 一、反应离子刻蚀机PlasmaStar 100仪器介绍PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操...
NDR-4000 深硅刻蚀系统 NANO-MASTER那诺-马斯特的NRE-4000型独立式RIE反应离子刻蚀系统,带有淋浴头气流分布和水冷射频样品台。该RIE反应离子刻蚀系统带不锈钢立柜和一个13”圆柱形铝制腔体,一键式实现顶盖升降便于放片取片。系统大可支持8”(200毫米)晶圆,也可以支持更大基片刻蚀的定制。腔体包含两个端口,一个用于2...
PlasmaStar 200/200 RIE 反应离子刻蚀系统 等离子刻蚀机 一、反应离子刻蚀机PlasmaStar 100仪器介绍PlasmaSTAR®系列等离子处理系统适合处理所有的材料,拥有多种腔室和电极配置,可满足不同的等离子工艺和基片尺寸。占地面积小,用于各种等离子工艺的模块化腔室和电极配置。此外,触摸屏计算机控制,多级程序控制和组件控制,操...