余林蔚,南京大学电子科学与工程学院 教授/博导。获国家杰出青年基金、国家海外高层次人才计划(青年项目)、江苏省“双创个人及团队”计划和江苏省杰出青年基金等人才项目资助。担任法国国家科学研究院终身职位研究员(cnrs-cr2),英国物理协会io...
近日,南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授团队联合扬州大学刘宗光教授在国际著名期刊《纳微快报》[Nano-Micro Letters]期刊上发表了题为“Integrating Hard Silicon for High-Performance Soft Electronics via Geometry Engineering”的综述论文...
近日,南京大学余林蔚教授团队联合苏州大学王胜老师在高起点新刊Electron上发表了题为“Nanowire-Based Flexible Sensors for Wearable Electronics, Brain-Computer Interfaces, and Artificial Skins”的文章,南京大学电子科学与工程学院博士后宋晓攀和苏州大学未来科学与工程学院顾洋同学为共同第一作者。该综述系统性阐述了纳米...
南京大学电子科学与工程学院余林蔚教授团队在围栅场效应晶体管(GAA-FETs)领域取得重要进展,成功开发出基于生长集成纳米线沟道的高性能GAA-FET器件。这一突破性成果为未来集成电路的发展提供了全新的技术路径,相关研究以“High-performance gate-all-around field effect transistors based on orderly arrays of catalytic S...
近日,南京大学余林蔚教授团队在Nano-Micro Letters上发表了一篇重要论文,报道了他们在高性能环绕栅极场效应晶体管(Gate-All-Around Field-Effect Transistors, GAA-FETs)领域的突破性进展。这项研究首次实现了基于催化生长硅纳米线(SiNW)沟道的高性能GAA-FET器件,为下一代半导体技术开辟了全新路径。该工作近期以「High...
近日,南京大学余林蔚教授团队在Nano-Micro Letters上发表了一篇重要论文,报道了他们在高性能环绕栅极场效应晶体管(Gate-All-Around Field-Effect Transistors, GAA-FETs)领域的突破性进展。这项研究首次实现了基于催化生长硅纳米线(SiNW)沟道的高性能GAA-FET器件,为下一代半导体技术开辟了全新路径。
近日,南京大学余林蔚教授团队在《Nano-Micro Letters》上发表了一篇重要论文,报道了他们在高性能环绕栅极场效应晶体管(Gate-All-Around Field-Effect Transistors, GAA-FETs)领域的突破性进展。这项研究首次实现了基于催化生长硅纳米线(SiNW)沟道的高性能GAA-FET器件,为下一代半导体技术开辟了全新路径。
近日,南京大学余林蔚教授团队成功研制出基于面内固-液-固(IPSLS)生长的n型硅纳米线(n-SiNW)忆阻器,通过“纳米线-边缘”准一维交叉1D-crossing创新接触结构精准调控纳米尺度下的导电细丝形成过程,实现了超低功耗、超快响应和高均一性的神经形态计算硬件。这一研究成果为大规模类脑计算提供了新型硬件支撑,并在二元...
为了应对上述挑战,南京大学余林蔚教授团队提出了一种新型的洛伦兹力驱动的双向驱动平面外结构NEM开关。其由一体成型的单根形貌编程的硅纳米线(Silicon Nanowire, SiNW)构成,该SiNW通过余林蔚课题组自主创新的平面内固-液-固 (In-plane solid-liquid-solid, IPSLS) 方法生长。悬空的纳米线悬臂在矢量洛伦兹力驱动下...
近日,南京大学余林蔚教授团队在高起点新刊Electron上发表了题为“Nanowire-Based Flexible Sensors for Wearable Electronics, Brain-Computer Interfaces, and Artificial Skins”的文章,南京大学电子科学与工程学院博士后宋晓攀和苏州大学未来科学与工程学院顾洋同学(目前保送到南京大学本课题组继续深造)为共同第一作者。南京大...