前不久,他和合作者基于氮化硅薄膜的固态转移掺杂技术,开发出一种碳纳米管 N 型场效应晶体管,它能与晶体管的延伸区直接接触。 研究中,他们获得了 P 型和 N 型的场效应晶体管,这些晶体管的器件结构,让其可以更准确地提取固有器件参数。 同时,本次工作也解决了碳纳米管均匀可控的掺杂问题,能帮助人们更好地提升...
摘要 本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法,以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道,以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下,金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应,并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管,获得半导体性单壁碳...
碳纳米管具有独特的电学和机械特性,使其在纳米电子学领域拥有广泛的应用前景.本文阐述了碳纳米管的结构和性能,对单壁碳纳米管进行分散处理,制备出以碳纳米管随机网络作为导电沟道的场效应器件,并对器件的电学性能进行测试分析.最后简要分析了基于柔性衬底的单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管的电学性能,并与普通基底的...
摘要 本实用新型涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管。在顶栅、底栅栅压不变情况下,通过改变底栅栅压的大小使得沟道电导可调,通过改变顶栅栅压的极性使得沟道导电类型可调。本实用新型即可制备在硬质衬底也可制备在柔性衬底上,可以进一步构建逻辑门电路。由于采用随机网络做为导电沟道,加工制备方法简单,便...
4.按照权利要求2所述的全单壁碳纳米管场效应晶体管的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,形成金属纳米粒子的粒度为1-10nm。 5.按照权利要求2所述的全单壁碳纳米管场效应晶体管的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,碳源为乙烯、乙炔或乙醇。 6.按照权利要求2所述的全单壁碳纳米管场效应晶体管的制备方法,其特征在...
此方法旨在不破坏或移除金属性单壁碳纳米管,而是通过选择性光氯化反应使其转变为半导体性单壁碳纳米管,从而实现高性能场效应晶体管的构筑。此工作将为半导体性单壁碳纳米管水平阵列的制备提供一种全新思路。 图2.光氯化对m-SWNT和s-SWNT的选择性。(a,b) m-SWNTs和s-SWNTs光氯化后在532 nm激发下的拉曼...
摘要 本发明属于单壁碳纳米管技术领域,具体为一种用于场效应晶体管,通过手性和/或直径分离单壁碳纳米管的分离方法。该方法包括:将适量的单壁碳纳米管与碘颗粒充分混合均匀吸附后,再加入到十二烷基硫酸钠溶液中分散得到碘吸附的碳管水分散液,利用不同手性的单壁碳纳米管吸碘量的不同进而增加碳管之间的密度差...
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一种定向单壁碳纳米管阵列为沟道的场效应晶体管及制作方法,在位于基底上的有序单壁碳纳米管阵列层的两侧通过光刻曝光分别制成源,漏极,再在顶部依次光刻曝光和磁控溅射得到栅极和介质层,实现场效应晶体管的制备.本发明通过改变定向排布复合碳纳米管薄膜的密度,器件的结构尺寸以及掺杂参数,可以自由实现对场效应晶体管...
综述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)的主要结构和导电沟道的制备工艺,如AFM探针操控,CVD原位生长,交流介电泳和L-B大面积操控排布等方法.在对CNTFET的这些结构和制备工艺进行详细分析的基础上,着重指出目前CNTFET导电沟道制备中存在的诸如金属性单壁碳纳米管(SWCNT)的烧除,接触电阻大,滞后现象以及p型CNTFET转化等问题,...