其制备技术也是半导体行业发展的重要支撑之一。本文将对半导体器件的制备技术进行介绍。 1.半导体材料的制备 半导体器件的制备首先要准备半导体材料,常用的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。硅及其掺杂材料是最常用的半导体材料。硅晶圆主要来源于石英砂,经过加热还原、氯化和汽相生长等步骤制备而成。这些...
2.半导体器件的制作 半导体晶片通过漏洞(Via)连接到导线,形成晶片内部电路。漏洞的制作依靠与光刻机类似的掩膜光刻。制作出的漏洞上覆盖有金属覆盖层,连接到先前预留的金属线上,形成电路。金属导线的制作是通过先将金属层涂在整个晶圆表面上,然后利用光刻机进行掩膜光刻和腐蚀来制作的。 三、半导体制备技术 1.溅射沉...
本文将介绍半导体器件的基本物理和制备技术。 一、半导体器件的物理 半导体器件中最基本的物理部分就是PN结,它是研究半导体器件的基础。PN结是由N型半导体和P型半导体组成的。P型半导体具有F型杂质(掺杂原子),N型半导体具有D型杂质(掺杂原子)。在PN结中,F型杂质与D型杂质发生了扩散,形成了N区和P区。 PN结是半导体...
先进的微电子工艺是半导体器件制备技术中的重要环节。微电子是指基于半导体材料制造集成电路的技术。在先进的微电子工艺中,需要采用精密的光刻、薄膜沉积、离子注入、金属填充等复杂步骤。这些工艺能够制备出微米或纳米尺度的器件,并且在器件性能和功耗上取得了明显的提升。例如,光刻技术的不断发展使得器件结构越来越精细,...
一、半导体器件的可控制备技术 可控制备技术是指通过精确控制材料的生长过程,有效地控制半导体器件的性质和性能。其中,常见的可控制备技术包括分子束外延(MBE)、金属有机气相沉积(MOCVD)和物理气相沉积(PVD)等。 1.1分子束外延(MBE) 分子束外延技术是一种通过在真空环境下逐分子地沉积材料的方法,从而控制材料的生长过程...
本文将详细介绍电子发射机制和半导体器件的制备技术。 电子发射机制 电子发射是指空间中或表面上的物质发射出自由电子的过程。电子发射机制可以分为三种:热电子发射、场发射和阴极发射。 热电子发射是指在高温下,物质内部自由电子获得克服表面势垒的能量而逸出。这种物质称为热电发射物质,如金属。场发射是指添加了外部...
半导体器件的制备是微电子技术的重要环节,它包括材料的选择、晶体的生长、器件的加工等多个步骤。 1.材料的选择 半导体器件的制备首先需要选择适当的半导体材料,通常使用的有硅(Si)和化合物半导体(如砷化镓、硒化镉等)。不同的半导体材料具有不同的物理特性和加工性能,需根据具体应用需求进行选择。 2.晶体的生长 晶...
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,一种半导体器件,包括:第一掺杂类型的半导体层;位于半导体层内部的体区和漂移区,体区具有第一掺杂类型,漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;位于体区中的第二掺杂类型的源区;位于漂移区中的第一浅沟槽结构和第二掺杂类型的漏区,第一浅沟槽结构...
以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。据科技部网站消息,“十二五”期间,863计划重点支持了“第三代半导体器件制备及评价技术”...
5.6 金属薄膜的物理气相淀积技术 5.6.1 金属膜的蒸发 蒸发所用的各种装置示意图 (a)电阻加热器 (b)射频感应加热器 (c)电子束蒸发 5.6.2 金属膜的溅射 各种溅射系统示意图 (a)标准溅射 (b)长程溅射 (c)具有准直器的溅射 * 微电子学基础理论 第五章 半导体器件制备技术 信息工程学院 姜梅 5.1 晶体生长...