半导体的制备工艺流程 半导体的制备工艺流程 半导体制备工艺流程是制造晶体管和集成电路的关键过程。其制备 过程主要包括光刻、化学气相沉积、物理气相沉积、离子注入、退 火和金属化等步骤。 首先是光刻。光刻是半导体加工过程中的关键步骤,其主要作用是 使用光刻胶在光掩膜上形成图案并转移到半导体表面。在此过程中, ...
【题目】半导体材料锗没有独立的矿物,常以硫化物(GeS2形式伴生在其他金属的硫化矿中。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如图所示。已知:①GeO2是两性氧化物;GeCL极易水解,其沸点为86.6℃。②Ge2+和I-都易被KIO3氧化,有关离子方程式为3Ge2+IO3+ 6H^+=3Ge^(4+)+I^-+3H2OIO_3^-+5I^-...
半导体材料锗没有独立的矿物,常以硫化物(((GeS))_2)形式伴生在其他金属的硫化矿中。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备((GeO))_2,其工艺流程图如图所示。已知:①(
锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如下。确定:GeO2是两性氧化物;GeCl4易水解,沸点86.6℃〔1〕第
6.锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域.以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO 2 ,其工艺流程图如下. 已知:GeO 2 是两性氧化物;G
锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如下。 已知:GeO2是两性氧化物;GeCl4易水解,沸点86.6℃;PbO不溶于稀硫酸 (1)第①步滤渣主要成分有(填化学式),实验室萃取操作用到的玻璃仪器有。 (2)第③步萃取时,锗的萃取率与V水相/V有机相(水相和有机相...
3.锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域.以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如图1. 已知:GeO2是两性氧化物;GeCl4易水解,沸点86.6℃ (1)第①步滤渣主要成分有SiO2(填化学式),实验室萃取操作用到的玻璃仪器有分液漏斗、烧杯.
【题目】5.(2020·福建厦门双十中学监测)锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域。以铅锌矿的含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如下。含锗烟尘滤渣①加稀硫酸(ZnO、PbO、过滤②加有机水层GcO2、SiO2)滤液萃取剂萃取有机层③NaOH溶液分液有机层水层47(1mol⋅L^(-2)LkmR)/(HI)*Gd/L ieCL_...
锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如下:已知:GeO2是两性氧化物,难溶于水,有氧化性;GeCl4易水解,沸点86.6℃ 1.第①步滤渣主要成分有___(填化学式)。2.在周期表中金属元素与非金属元素的分界处,可以找到半导体材料,如Si、x等,半导体器件的研制...
【题目】锗及其化合物被广泛应用于半导体、催化剂等领域。以铅锌矿含锗烟尘为原料可制备GeO2,其工艺流程图如图1:ag含锗烟尘滤渣①加稀硫酸②加有机水层(ZnO、PbO:萃取剂有机层过滤滤液GeO2. SiO2)萃取有机层③NOH溶液分液水层④7moL盐酸蒸馏GeO200℃GeO:nH:O⑤纯水GeCl图1过滤已知:GeO2是两性氧化物,难溶...