分子束光谱 molecular beam spectra 与分子束技术相结合的光谱。若将激光束垂直于分子束的轴线进行测量，则得到的光谱线的多普勒频移ΔvD，可用如图1公式表示。式中u为分子束流速；v为跃迁频率；c为光速；θ为被测分子流动方向与分子束轴线的夹角。在可见光范围内，ΔvD≈0.01sinθ，若用光阑限制接收角，还可...
分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一种在超高真空状态下,进行材料外延技术,下图为分子束外延的核心组成,包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。在这个过程中,晶体衬底被加热升温,各种分子束流被发射到衬底表面发生相互作用,最终在衬底上结合成单质或...
MBE外延生长是在超高真空环境下(10-10Torr)以高温蒸发的方式将源材料裂解为气体分子以产生分子束流,产生的分子束流在衬底表面经吸附、分解、迁移、成核、生长等过程使原子进入晶格位置完成外延生长。 各高纯原材料在各自的束源炉中被独立加热产生分子束,该分子束流经机械挡板...
01分子束外延技术 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,简称MBE)是一种生长单晶薄膜的先进技术,所谓分子束外延,就是将不同的高纯度材料(例如:As、Ga、Al、Sb)分别放置在特定的坩埚炉中,坩埚炉可以通过电加热和液氮循环制冷,能够精准的控制炉底和炉口的温度。当高温状态下,高纯度的材料受热将会以蒸发的气态束流状在...
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。分子束外延生长的原理及特点 分子束外延，就是在...
分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，也是一种特殊的真空镀膜工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用...
分子束是由单个分子组成的一束聚集在一起形成的细长、平行的分子流动。形成方式 通常通过在高温下蒸发气体，然后通过特定的喷嘴或狭缝，使气体分子形成这种束状流动。分子束的产生 蒸发冷却 首先，将气体加热至高温使其蒸发，然后通过冷却过程，使其凝 结成分子束。喷嘴射流 使用特殊设计的喷嘴或狭缝，通过精确控制喷嘴...
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,以下简称MBE)是一种化合物半导体薄膜的物理淀积技术,其基本原理是在超高真空条件下将组成薄膜的各元素在相应束源炉中加热形成定向原子束或分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长,每个束源炉配备1个能够快速开关的快门,从而改变生长材料的成分及...
分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。 其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(如图1所示)。[1] 图1 分子束外延装置生长室的工作原理图 2.特点[2] 整个生长过程是在超高真空环境下进行的,避免了杂质的...