分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。分子束外延生长的原理及特点 分子束外延，就是在...
分子束外延(MBE)是一种在超高真空状态下进行材料外延的技术,通过将不同元素的分子束或原子束以特定角度和速率射向加热的衬底,使其在衬底表面
分子束外延,分子束外延(MBE)是新发展起来的外延制膜方法,也是一种特殊的真空镀膜工艺。外延是一种制备单晶薄膜的新技术,它是在适当的衬底与合适的条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制
氢化物气相外延(Hydride vapor phase epitaxy, HVPE)、金属有机化学气相外延(Metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)、以及分子束外延(Molecular beam epitaxy, MBE)。 HVPE主要是利用生长过程中的化学反应,如歧化反应、化学还原反应以及热分解反应等实现外延晶体薄膜的...
分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,以下简称MBE)是一种化合物半导体薄膜的物理淀积技术,其基本原理是在超高真空条件下将组成薄膜的各元素在相应束源炉中加热形成定向原子束或分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长,每个束源炉配备1个能够快速开关的快门,从而改变生长材料的成分及...
分子束外延方法是一种利用分子束流在晶体基片表面上生长单晶体或晶体薄膜的现代化技术方法。如果在晶体表面上生长出半导体薄膜和绝缘薄膜，那末利用这种极薄且具有多层结构的薄膜，就可制造出高速集成微电路。利用该技术方法，也可制备各种微波器件、半导体激光器等所需要的超晶格薄膜。该法的特点是：①应用的原子束或...
分子束外延(以下简称MBE)是一种化合物半导体多层薄膜的物理淀积技术。 其基本原理是在超高真空条件下,将组成薄膜的各元素在各自的分子束炉中加热成定向分子束入射到加热的衬底上进行薄膜生长(如图1所示)。[1] 图1 分子束外延装置生长室的工作原理图 2.特点[2] 整个生长过程是在超高真空环境下进行的,避免了杂质的...
分子束外延 分子束外延
在固体源的分子束外延过程中,如镓、砷元素会以超纯(Ultra pure)的形式在独立的石英克劳森容器(Knudsen Cell)中被加热,直到它们开始缓慢升华。然后这些气态物质会在对应的晶圆上凝结。以Ga、As为例,上述作用会产生单晶GaAs。 "分子束"意味着外延过程中气体原子并不产生相互作用,也不与真空室物质反应,除非它们接触到...