逻辑芯片:摩尔定律下需要采用多重曝光工艺,重复多次薄膜沉积和刻蚀工序以实现更小线宽 ,由此带动薄膜沉积设备需求成倍增加。对比中芯国际180nm和90nm产线设备用量,PVD和 CVD需求均增长近4-5倍。 存储芯片:NAND 制造工艺从2D向3D转化,堆叠层数也从32/64层向128/196层发展,产品 结构和层数的复杂化同样催生更多薄膜...
光刻、刻蚀、薄膜沉积,同为集成电路制造的三大工艺;其他的步骤则包括清洗、 热处理、离子注入、化学机械抛光、量测等。 光刻是将设计好的图形从掩模版或倍缩掩模版,转印到晶圆表面的光刻胶上所使 用的技术。光刻技术最先应用于印刷工业,并长期用于制造印刷电路板。半导体产 业在 1950 年代开始采用光刻技术制造晶...
在晶圆上制造芯片需要经过上百个工序,主要的工艺步骤包括光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积等。 光刻的目的是把设计好的图形转印到晶圆上。首先我们在晶圆上层光刻胶,光刻胶(正胶)的特性是经过特定频率光线的照射后,…
薄膜沉积、光刻、刻蚀都是芯片制造中的重要工艺环节呢。薄膜沉积能在晶圆表面堆叠各种薄膜,为后续的电路结构形成打下基础;光刻则是通过掩膜版把电路图形转移到薄膜上;刻蚀则是对薄膜进行精细加工,形成最终的电路结构。我们公司在这些方面都有着丰富的经验和专业的技术团队哦。
薄膜沉积 🧪 在刻蚀步骤之后,通常需要进行薄膜沉积,以创建芯片内部的微型器件。这一步是构建复杂电路结构的关键。 循环与进步 🔄 这个流程不断循环进行,以构建出复杂精细的电路结构。随着半导体技术的发展,刻蚀工艺也在不断进步,从最初的湿法刻蚀转向干法刻蚀,以适应更精细的电路图案需求。0...
模块工艺是由不同的单项工艺组合而来,单项工艺包括光刻、涂胶显影、薄膜沉积、刻蚀、离子注入、CMP、清洗等,其中薄膜沉积、刻蚀和光刻设备是价值量最大的三类设备。 全文(无删减) 精选报告来源:银创智库 新能源/新材料/高端装备制造 新质生产力丨储能丨锂电丨钠电丨动力电池丨燃料电池丨氢能源丨光伏丨风电丨新能源...
光刻机、刻蚀机、以及薄膜沉积设备占晶圆制造设备价值量的比例分别为21.59%、19.19%、18.53%,薄膜沉积设备是晶圆制造设备中价值量排名前三的重要环节。CVD设备在晶圆制造的薄膜沉积(生长)过程中发挥着关键作用,是主流的薄膜沉积设备之一。而薄膜沉积设备又与光刻机、刻蚀机共同称为晶圆制造的“三大核心设备”。
富创精密：公司产品广泛应用于刻蚀、薄膜沉积、光刻及涂胶显影等前道先进制程设备 富创精密11月9日在互动平台表示，公司可提供工艺零部件、结构零部件、模组产品、气体管路等多品类产品，相关产品广泛应用于晶圆制造环节最核心的刻蚀、薄膜沉积、光刻及涂胶显影、化学机械抛光、离子注入等前道先进制程设备。
芯片制造核心技术主要包括光刻、刻蚀、薄膜沉积、掺杂等工艺,这些技术决定了芯片的物理结构和性能。寒武纪的云端和边缘应用场景的多样化需求会促进芯片厂商对芯片性能(如更高的运算速度、更低的功耗等)进行不断改进,从这个意义上说,它们起到辅助芯片技术发展的作用。
刻蚀设备是半导体制造中的三大核心设备之一，与光刻和薄膜沉积并列，其价值量占比约为25%。随着晶体管尺寸的不断缩小，对刻蚀的精准度要求也日益提高。刻蚀设备主要分为CCP（电容耦合等离子体）和ICP（电感耦合等离子体）两种类型，其中CCP占比约为47%，而ICP在刻蚀机总量中的占比则达到53%。尽管国内在刻蚀设备领域已...