俄歇效应,也被称为俄歇跃迁,是一种物理现象。当高能辐射,如X射线或γ射线,照射到物体上时,会导致原子内壳层上的束缚电子被激发出来。在这种情况下,外层能量较高的电子可能会跃迁到内层的空位上,这个过程会释放出能量。这些释放的能量可以以光子的形式辐射出来,也可以通过将能量转移给另一个电子的方式释放出来,被...
因为俄歇电子的能量 EK是由相应的三个能级的电子结合能决定的,而后者是代表元素原子种类特征,因此原则上测得EK即可判定元素之种类,关键是要测出俄歇电子N(E)随能量(E)的分布,即N(E)～ E 曲线, 或称为俄歇谱。俄歇谱可以由一个或多个俄歇峰组成,每个俄歇峰对应每一个特定的...
这个被激发的电子就是俄歇电子。这个过程被称为俄歇效应，以发现此过程的法国物理学家P.V.俄歇命名。历史背景 俄歇现象于1925 年由 P .Auger 发现。 28 年以后，J .J .Lander 指出电子激发的俄歇电子可以用于检测表面杂质，但是要从噪声中检测出十分微弱的俄歇电子信号，当时技术上尚无法实现 。1968年，L.A ....
俄歇效应: 相关知识点: 试题来源: 解析 原子的K层电子被X射线击出后,处于激发态,当L层的电子向K层跃迁时,将释放出ΔE=Ek-El能量,这个能量可以用荧光X射线的形式释放,也可以被原子内部的某个电子(内层或者外层)所吸收,使这个电子受激发而逸出原子成为自由电子,这就是俄歇效应,这个电子就是俄歇电子。
俄歇复合，是指俄歇跃迁相应的复合过程。俄歇效应是三粒子效应。在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。简介 半导体中，无论是直接复合、间接复合，还是激子复合，都会有...
俄歇发射光谱(AES)或俄歇分析是一种失效分析技术,用于识别样品表面存在的元素。与 EDX 和 WDX 分析一样,AES 用高能电子束轰击样品。这个过程除其他外,会产生俄歇电子。 俄歇发射光谱(AES)是一种表面分析技术,可用于确定固体表面上的元素化学计量和化学状态。AES是一种基于电子能量分析的技术,它可以提供有关表面组分...
何谓光电效应和俄歇效应?二者是如何产生的?有何区别? 答:光电效应:当用X射线轰击物质时,若X射线的能量大于物质原子对其内层电子的束缚力时,入射X射线光子的能量就会被吸收,从而导致其内层电子(如K层电子)被激发,并使高能级上的电子产生跃迁,发射新的特征X射线。 俄歇效应:当高能级的电子向低能级跃迁时,能量不是...
俄歇电子能谱（Auger electron spectroscopy，简称AES），是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发的原子的外层电子跳至低能阶所放出的能量被其他外层电子吸收而使后者逃脱离开原子，这一连串事件称为俄歇效应，而逃脱出来的电子称为俄歇电子。1953年，俄歇...
俄歇电子能谱(Auger Electron Spectroscopy, AES)是用具有一定能量的电子束(或X射线)激发样品俄歇效应,通过检测俄歇电子的能量和强度,从而获得有关材料表面化学成分和结构信息的方法。1925年P. Agure在Wilson云室中发现了俄歇电子,并进行了理论解释。1953年,J.J. Lander首次使用了电子束激发的俄歇电子能谱,并探讨了...