俄歇复合解释 俄歇复合是半导体物理中一种重要的非辐射复合机制，得名于法国物理学家皮埃尔·俄歇。这一过程涉及载流子在能带间的相互作用，当电子与空穴复合时，释放的能量并不以光子形式辐射，而是转移给另一个载流子，使其跃迁到更高能态。俄歇复合常发生在高掺杂浓度或高载流子密度的材料中，对半导体器件的效率及热稳定性
解析 俄歇复合:载流子从高能级向低能级跃迁,发生电子一空穴复合时,把多余的能量传给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去,当它重新跃迁回低能级时,多余的能量常以声子形式放出,这种复合称为俄歇复合。(这是一种非辐射复合) 暂无解析反馈 收藏 ...
俄歇复合是一种非辐射复合,也是碰撞电离产生电子-空穴对的逆过程。对于长波长半导体激光器而言,俄歇复合是影响激光器阈值电流的主要载流子损耗机制。在激光器中,电子和空穴在激光器的有源区域中复合,释放出的能量被传递给第三个载...
俄歇复合是半导体中的一种非辐射复合过程,具有三种类型: 1. 带间过程:电子和空穴在价带和导带之间复合,释放出的能量转移给另一个载流子,使其激发到更高的能态上。 2. 声子参与的俄歇复合过程:声子与电子-空穴对相互作用,使得电子-空穴对复合并释放出能量。...
辐射复合是电子-空穴对复合释放光子;非辐射复合是复合时通过声子或缺陷释放能量;俄歇复合是复合能量转移给第三个载流子使其激发。 **辐射复合**:电子与空穴直接复合并发射光子(如半导体发光二极管),属于能量以光形式释放的有效复合机制。 **非辐射复合**:复合时不发射光子,能量通过晶格振动(声子)或缺陷/杂质能级转化...
俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。 俄歇效应 俄歇效应是三粒子效应,在半导体中,电子与空穴复合时,把能量或者动量,通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴,造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合,是“碰撞电离”的逆过程。 这种复合不同于带间直接复合,也不同于通过复合中心的...
这主要是由于带宽较大的材料中俄歇复合由间接复合主导。当带宽小于1 eV时，俄歇系数随着带宽的减小急剧增大，并存在明确的指数相关关系。主要原因是在这一带宽范围，俄歇复合由直接复合所控制。然而，PbSe作为一个窄带宽的半导体(0.27 eV)，却表现得非常反常：它的俄歇复合系数比类似带宽的其他半导体低了三个数量级。
俄歇复合是一个三体过程,涉及一个电子、一个空穴和另一个电子或空穴。在这个过程中,电子和空穴复合释放的能量不是以光子的形式发射,而是转移给第三个载流子(电子或空穴),使其获得足够的能量跃迁到更高的能级。这种复合机制对半导体的光电性能有重要...
需要注意的是,俄歇复合因子是一个与材料特性相关的参数,不同的半导体材料具有不同的俄歇复合因子。因此,在设计和优化半导体器件时,需要考虑到俄歇复合的影响,并根据具体的材料和应用场景来选择合适的材料和结构。例如,在太阳能电池中,可以通过控制材料...
一种非辐射复合,是指电子与空穴复合释放的能量转移到另外一个电子或者一个空穴,造成该电子或者空穴跃迁到更高的能级,当该电子或空穴跃迁回低能级时,产生的能量以声子的形式放出的现象。 英文名称 Auger recombination 所属学科 光学工程 典型俄歇复合示意图如图所示,电子空穴复合的能量既可以传递给电子,也可以传递给空...