金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，荣湃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器”的专利，公开号 CN 118944608 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器。包括，运算放大部，对一输入压差进...
在场效应管(如结型场效应管或绝缘栅型场效应管 MOSFET)中,低频跨导 gm 主要由栅极电压对漏极电流的控制能力决定。低频跨导 gm 的计算公式可以表示为栅极电压 Ugs 变化时漏极电流 Id 的变化率: gm = dId / dUgs 这个公式在特定条件下(如 Vds 为某一固定数值时)可以进一步简化为漏极电流 Id 的微变量与栅源...
计算公式为: gm = dIout / dVin 其中,gm表示低频跨导,Iout表示输出电流,Vin表示输入电压。 低频跨导gm是衡量放大器性能的重要指标之一,它决定了放大器的增益、带宽等性能参数。因此,在放大器的设计和优化过程中,需要准确地计算出低频跨导gm值,并加以优化。
场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子电路中的三极管。它的主要特点是输入电阻高、噪声低、输入电容小、输出电阻大、功耗小,因此在各种电子电路中得到了广泛应用。FET有两种构造形式:MOSFET和JFET。其中MOSFET又分为N沟道和P沟道两种。 二、低频跨导的概念 低频...
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低频跨导gm会降低与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小跨导越大。
与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小，跨导越大。低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
一、场效应管低频跨导的含义 低频跨导是衡量场效应管放大器线性度的一个重要参数。跨导的概念是指输入信号的电压变化与输出电流的变化之间的关系。而低频跨导是指在较低频率下的跨导表现。一般来说,场效应管的低频跨导是指当输入信号频率为零时,场效应管放大器的输出电流对输入电压的变化率。 产品参数...
低频跨导是交流参数，是低频跨导gm，是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
实验结果表明,栅源电压对低频跨导的影响较大。当栅源电压变化时,低频跨导会发生明显变化,从而影响场效应管的放大能力。漏源电压对低频跨导的影响相对较小,但在一定范围内也会对场效应管的性能产生影响。 为了更好地理解这一关系,我们可以从物理机制上进行分析。栅源电压的变化会改变栅...