场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种广泛应用于电子电路中的三极管。它的主要特点是输入电阻高、噪声低、输入电容小、输出电阻大、功耗小,因此在各种电子电路中得到了广泛应用。FET有两种构造形式:MOSFET和JFET。其中MOSFET又分为N沟道和P沟道两种。 二、低频跨导的概念 低频跨导(Tra...
场效应管低频跨导是评估场效应管放大器线性度的一个重要指标。低频跨导越大,放大器的线性度就越好,输出信号失真度就越低。 此外,场效应管低频跨导还与放大器的增益有关。当低频跨导越大时,放大器的增益也就越大。因此,在设计场效应管放大器时,需要根据具体需求来确定低频跨导的大小,以达到最佳的放大器性能...
其计算公式为: gm = Iout / Vin 其中,gm表示低频跨导,Iout为输出电流,Vin为输入电压。 需要注意的是,低频跨导是个动态指标,其数值随着频率的变化而变化。在高频率下,低频跨导可能会变得非常小,因此在计算放大器性能时,需要考虑其在不同频率下的低频跨导值。
金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，荣湃半导体（上海）有限公司申请一项名为“一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器”的专利，公开号 CN 118944608 A，申请日期为2024年10月。专利摘要显示，本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种低跨导分段高摆率的跨导运算放大器。包括，运算放大部，对一输入压差进...
低频跨导指的是当输入信号的频率非常低时,FET的跨导大小。 二、低频跨导计算公式 在理解低频跨导之前,我们需要了解两个重要参数:电流增益和导通电阻。电流增益(或称为跨导)表示源极-漏极电流变化量与栅极-源极电压变化量之比。导通电阻是指当FET导通时,栅极和源极之间的电阻大小。 低频跨导的...
低频跨导是交流参数，是低频跨导gm，是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小，跨导越大。低频跨导gm 是在VDS为某一固定数值的条件下,漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。在MOS管中，跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
低频跨导gm会降低与漏极变化的电流和栅源电压有关，电流越大跨导越大，电压越小跨导越大。
实验结果表明,栅源电压对低频跨导的影响较大。当栅源电压变化时,低频跨导会发生明显变化,从而影响场效应管的放大能力。漏源电压对低频跨导的影响相对较小,但在一定范围内也会对场效应管的性能产生影响。 为了更好地理解这一关系,我们可以从物理机制上进行分析。栅源电压的变化会改变栅...
由于电机系统存在大量对地分布电容，共模电压在变频器开关跳变期间会产生较大的du/dt，进而对电机系统分布电容进行充放电形成共模电流，也就是正常漏电流。当电机系统对地分布电容数值较大时，正常漏电流也会随之增大，可能导致电机不能正常运转。随着电力电子技术的不断发展，PWM变频器的开关性能不断提高，...