新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队通过原子层沉积在温度相对较低的150℃下开发了一种稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。该工作采用化学计量比为In0.37Ga0.20Zn0.18O0.25的溅射非晶铟镓锌氧化物(IGZO)用作有源沟道材料。在具...
本文重点介绍了,实现低温ALD沉积TiO2 Al2O3 ZnO等薄膜的实现细节,适合ALD镀膜工程师等阅读 这个技术有极其重要的应用背景,原子层镀膜 分为 thermal ald 和peald,在一定高温度下进行原子层沉积,膜层的质量会相对较好,但是 在一些半导体比如 超高精度半导体复杂结构加工 ,或者微纳光学纳米压印等,这些应用场景,高温会...
新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队通过原子层沉积在温度相对较低的150℃下开发了一种稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。该工作采用化学计量比为In0.37Ga0.20Zn0.18O0.25的溅射非晶铟镓锌氧化物(IGZO)用作有源沟道材料。在具有Al₂O₃/HfO₂绝缘层的柔性聚酰亚胺基底上进一步制备底栅顶接触的柔性TFT...
徐集贤AEM:低温原子层沉积空穴传输层用于提高钙钛矿/硅叠层太阳能电池的性能和可扩展性,钛矿,原子,空穴,导电性,徐集贤,太阳能电池
1.通过原子层沉积技术在温度相对较低的150℃下开发出稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。 2.在具有Al₂O₃/HfO₂绝缘层的柔性基底上进一步制备底栅顶接触的柔性薄膜晶体管(TFT)。 3.柔性TFT的载流子迁移率为9.7 cm²V⁻¹s⁻¹,开/关比约为1.3 × 10⁶,亚阈值电压为0.1 V,饱和电...
原子层沉积(atomiclayerdeposition,ALD)是一种近乎完美的薄膜沉积封装技术,这种技术所生长的薄膜具有独特的层-层(layer by layer)生长特性,而且可以在低温下沉积出厚度可控,重复率高,均匀致密的薄膜,使得该技术在半导体行业已经得到广泛应用.在此,我们将回顾ALD封装技术在有机发光二极管(organiclightemitting diode, OLED...
研究人员通过保形低温热原子层沉积(ALD)方法来解决了上述问题,让我们看看他们具体的研究内容吧! 双光子聚合中使用的树脂通常在高达 200°C 的温度下保持稳定,因此该团队试图开发一种仅在 150°C 下工作的 ALD 技术。研究通过原子层沉积(ALD),使用PICOSUN R-200高级系统在3D打印的光学系统上形成防反射涂层。他们...
低温原子层沉积金属氧化物模块工艺是一种将金属原子和氧化物原子交替沉积于基底表面的技术。其工艺流程主要包括以下几个步骤: 1.表面清洁:首先要对基底表面进行清洁处理,去除表面的杂质和氧化物,以确保金属氧化物的均匀沉积。 2.预处理:在沉积前需要对基底进行某些预处理,如氧化、还原或者其它表面改性。这些处理可以提...
【南洋理工P.S.Lee团队:低温原子层沉积纳米叠层介电增强柔性薄膜晶体管性能】新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队。通过原子层沉积技术在温度相对较低的150℃下开发出稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。在具有Al₂O₃/HfO₂绝缘层的柔性基底上进一步制备底栅顶接触的柔性薄膜晶体管(TFT)。柔性TFT的...
近日,日本国立物质材料研究机构的Jin Su和Tohru Tsuruoka团队,利用原子层沉积技术结合双重氮气等离子体增强脉冲氮化过程在低温条件下生长氮掺杂的镁磷氧氮固态电解质(MgPON),相关成果发表在Wiley旗下的化学领域的顶级期刊《德国应用化学》(AngewandteChemie International Edition)上。该研究表明低温条件下生长的镁磷氧氮薄...