本文重点介绍了,实现低温ALD沉积TiO2 Al2O3 ZnO等薄膜的实现细节,适合ALD镀膜工程师等阅读 这个技术有极其重要的应用背景,原子层镀膜 分为 thermal ald 和peald,在一定高温度下进行原子层沉积,膜层的质量会相对较好,但是 在一些半导体比如 超高精度半导体复杂结构加工 ,或者微纳光学纳米压印等,这些应用场景,高温会...
徐集贤AEM:低温原子层沉积空穴传输层用于提高钙钛矿/硅叠层太阳能电池的性能和可扩展性,钛矿,原子,空穴,导电性,徐集贤,太阳能电池
新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队通过原子层沉积在温度相对较低的150℃下开发了一种稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。该工作采用化学计量比为In0.37Ga0.20Zn0.18O0.25的溅射非晶铟镓锌氧化物(IGZO)用作有源沟道材料。在具有Al₂O₃/HfO₂绝缘层的柔性聚酰亚胺基底上进一步制备底栅顶接触的柔性TFT...
新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队通过原子层沉积在温度相对较低的150℃下开发了一种稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。该工作采用化学计量比为In0.37Ga0.20Zn0.18O0.25的溅射非晶铟镓锌氧化物(IGZO)用作有源沟道材料。在具...
研究人员通过保形低温热原子层沉积(ALD)方法来解决了上述问题,让我们看看他们具体的研究内容吧! 双光子聚合中使用的树脂通常在高达 200°C 的温度下保持稳定,因此该团队试图开发一种仅在 150°C 下工作的 ALD 技术。研究通过原子层沉积(ALD),使用PICOSUN R-200高级系统在3D打印的光学系统上形成防反射涂层。他们...
【南洋理工P.S.Lee团队:低温原子层沉积纳米叠层介电增强柔性薄膜晶体管性能】新加坡南洋理工大学的Pooi See Lee教授团队。通过原子层沉积技术在温度相对较低的150℃下开发出稳定的叠层Al₂O₃/HfO₂绝缘层。在具有Al₂O₃/HfO₂绝缘层的柔性基底上进一步制备底栅顶接触的柔性薄膜晶体管(TFT)。柔性TFT的...
近日,日本国立物质材料研究机构的Jin Su和Tohru Tsuruoka团队,利用原子层沉积技术结合双重氮气等离子体增强脉冲氮化过程在低温条件下生长氮掺杂的镁磷氧氮固态电解质(MgPON),相关成果发表在Wiley旗下的化学领域的顶级期刊《德国应用化学》(AngewandteChemie International Edition)上。该研究表明低温条件下生长的镁磷氧氮薄...
原子层沉积(ALD)方法可以制备出高质量薄膜,被认为是可应用于柔性有机电致发光器件(OLED)最有发展前景的薄膜封装技术之一.本文采用原子层沉积(ALD)技术,在低温(80℃)下,研究了Al_2O_3及TiO_2薄膜的生长规律,通过钙膜水汽透过率(WVTR),薄膜接触角测试等手段,研究了不同堆叠结构的多层Al_2O_3/TiO_2复合封装...
摘要 本发明提供一种氧化物薄膜的低温原子层沉积方法,应用于半导体薄膜领域,能够在较低的温度下实现薄膜沉积,同时控制薄膜中的杂质含量,且沉积效率保持在1A/cycle及以上。本发明的技术方案如下:以硅的卤化物或者金属卤化物或者金属卤氧化物为前驱体材料在衬底或者器件上进行原子层沉积,在化学吸附步骤完成后,包含有等离子...
OLED的封装技术有很多种,高水汽阻隔母粒主要针对有机材料的弱耐温性,研究应用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术进行低温薄膜封装的方法。在ALD沉积过程中,气相前驱体脉冲交替反应,反应材料通过化学吸附将物质以单原子层的形式逐层沉积在高水汽阻隔母粒衬底表面,此种反应由于具有自限制特性,高水汽阻隔母粒成膜...