位错增殖是一个材料科学中的专业术语,主要用来描述晶体中位错(一种晶格缺陷)数量的增加过程。以下是对该名词的详细解释: 一、定义 位错增殖是指在一个晶体中,由于各种物理、化学或机械作用,原始位错的数量不断增加的现象。这些新增的位错可能是由原始位错的扩展、相互作用或与外部因素(如应力场、温度梯度等)的交互而...
位错增殖名词解释 位错增殖是材料力学中的一种塑性变形机制,常见于晶体内部。位错是晶体中存在的一种缺陷,是原子排列的不连续性。位错增殖指的是位错在晶体中通过滑移或蠕变运动的方式增加,导致晶体发生塑性变形。位错增殖能够使晶体中的滑移面之间的位错数量增加,从而使材料产生塑性形变。这种增殖机制可以在晶体中沿滑移...
答:(1)弗兰克—瑞德位错增殖机制位错增殖是晶体中的位错在一定形式的运动中,自身不断产生新的位错环或大幅度增加位错线长度,从而使材料中的位错数目或位错密度在运动中不断增大的过程。能使位错增殖发生的特殊位错组态或构型称为位错源。位错的增殖机制主要有三种机制:弗兰克—瑞德(Frank-Read)位错源机制、双交滑移增...
在应力作用下，先生成一小段弯曲的位错线，再生成相互抵消的左螺位错和右螺位错，然后形成一闭合的位错环和环内的一小段弯曲位错线。若持续施加应力，位错环会向外扩张，且位错环内的弯曲位错恢复直线，并产生新的位错环。周而复始，实现位错增殖。F-R位错源增殖机制的动图演示 弗兰克-瑞德(F-R)源的产生：刃型...
-位错增殖量Delta N可以通过位错线长度的变化来计算。初始位错线的长度对应一定数量的位错,设单位长度位错线对应的位错数为n_0 = 1/b(这里是将位错线长度按柏氏矢量离散化,每一个柏氏矢量长度对应一个位错)。 -初始位错数量N_0 = Ln_0 = L/b,增殖后的位错数量N_1=(3L)/b。 -位错增殖量Delta N = N...
内容提示: 现象:现象:晶体通过位错的滑移产生塑性变形,但塑性变形以后,位错的数量不但没有减少,反而增加了。形以后,位错的数量不但没有减少,反而增加了。这些都与位错的这些都与位错的增殖、塞积、交割增殖、塞积、交割有关。晶体通过位错的滑移产生塑性变形,但塑性变有关。§§3-6 位错的增殖、塞积与交割位错的...
§3-6 位错的增殖 现象：晶体通过位错的滑移产生塑性变形，但塑性变形以后，位错的数量不但没有减少，反而增加了。这些都与位错的增殖、塞积、交割有关。§3-6 位错的增殖、塞积与交割
1.弗兰克-里德位错源(FR) 位错的增殖机制还有很多,例如:双交滑移增殖、攀移增殖等。 2. 双交滑移增殖模型 3. 塑性形变 04 实际晶体结构中的位错 1. 实际晶体中位错的柏氏矢量 (1)全位错:通常把柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为全位错。
晶体缺陷理论-位错的萌生与增殖 星级: 33 页 【精品】§3-6位错的增殖 星级: 40 页 刃型位错与螺型位错的交割图刃型位错与螺型位错的交割【精品PPT】 星级: 33 页 刃位错与螺位错的交割刃型位错AB 星级: 29 页 位错理论4-位错的交割与割阶 星级: 42 页 关于位错的理论与思考 星级: 5 页 ...
位错增殖的机制位错增殖的机制 位错的增殖机制主要有三种:弗兰克-里德位错源(Frank-Read source)机制、双交滑移增殖机制,和攀移增殖机制。 具体来说,弗兰克-里德位错源机制是若某滑移面有一段刃型位错AB,两端被位错网节点钉住不能运动。在沿其垂直线方向外加剪切应力使位错沿滑移面运动,由于两端固定,所以只能使位错...